結果: 11
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS ECAD模型 安裝風格 封裝/外殼 晶體管極性 通道數 Vds - 漏-源擊穿電壓 Id - C連續漏極電流 Rds On - 漏-源電阻 Vgs - 閘極-源極電壓 Vgs th - 門源門限電壓 Qg - 閘極充電 最低工作溫度 最高工作溫度 Pd - 功率消耗 通道模式
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 1,054庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 189 A 7.7 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 195 nC - 55 C + 175 C 800 W Enhancement
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 1,189庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 144 A 12.2 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 124 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 3,648庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 107 A 17.1 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 89 nC - 55 C + 175 C 470 W Enhancement
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 433庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 87 A 21.6 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 71 nC - 55 C + 175 C 385 W Enhancement
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 1,900庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 75 A 25.4 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 60 nC - 55 C + 175 C 335 W Enhancement
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 475庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 52 A 39.6 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 8.1 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 1,651庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 29 A 78.1 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 20.6 nC - 55 C + 175 C 158 W Enhancement
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 752庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 21.2 A 115.7 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 14.4 nC - 55 C + 175 C 123 W Enhancement
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 256庫存量
1,000預期5/3/2026
最少: 1
倍數: 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 14.9 A 181.4 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 9.7 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 259庫存量
5,000在途量
最少: 1
倍數: 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 8.1 A 233.9 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 7.9 nC - 55 C + 175 C 80 W Enhancement
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 9庫存量
2,000預期11/6/2026
最少: 1
倍數: 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 41 A 52.6 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 30 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement