FGH4L75T65MQDC50

onsemi
863-FGH4L75T65MQDC50
FGH4L75T65MQDC50

製造商：

說明：
IGBT 650V 75A FS4 HYBRID IGBT INDUSTRIAL (TO247-4L)

規格書:
ECAD模型:
下載免費的庫載入器，為ECAD工具轉換此文件。瞭解更多關於 ECAD 型號的資訊。
更多資訊
瞭解更多關於onsemi FGH4L75T65MQDC50的資訊

庫存量: 310

庫存：
310 可立即送貨
工廠前置作業時間：
16 週 工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。
最少： 1   多個： 1
單價:
HK$-.--
總價:
HK$-.--
估計關稅:

Pricing (HKD)

數量 單價
總價
HK$93.46 HK$93.46
HK$55.90 HK$559.00
HK$51.13 HK$6,135.60

商品屬性 屬性值 選擇屬性
onsemi
產品類型: IGBT
RoHS:  
REACH - SVHC:
SiC
TO-247-4
Through Hole
Single
650 V
1.45 V
- 30 V, 30 V
110 A
385 W
- 55 C
+ 175 C
FGH4L75T65MQDC50
Tube
品牌: onsemi
集電極最大連續電流Ic : 110 A
柵射極漏電電流: 400 nA
產品類型: IGBT Transistors
原廠包裝數量: 30
子類別: IGBTs
公司名稱: EliteSiC
找到產品:
若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊
至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

規格書

CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

FGH4L75T65MQDC50 Field Stop 4th Gen Mid-Speed IGBT

onsemi FGH4L75T65MQDC50 Field Stop 4th Gen Mid-Speed IGBT offers optimum performance with low conduction and switching losses. FGH4L75T65MQDC50 utilizes field stop 4th generation IGBT technology and generation 1.5 SiC Schottky Diode technology in a TO-247 4-lead package. This IGBT transistor is for high-efficiency operations in various applications, especially totem-pole bridgeless PFC and inverters.

發生意外的錯誤。


有問題嗎？ 請瀏覽幫助中心。
有關特定訂單的問題，請登入您的帳戶。

如有其他問題，請致電800-346-6873或發送郵件至 help@mouser.com 與我們聯絡。