STP65N150M9

STMicroelectronics
511-STP65N150M9
STP65N150M9

製造商:

說明:
MOSFET N-channel 650 V, 128 mOhm typ., 20 A MDmesh M9 Power MOSFET

ECAD模型:
下載免費的庫載入器,為ECAD工具轉換此文件。瞭解更多關於 ECAD 型號的資訊。

庫存量: 113

庫存:
113 可立即送貨
工廠前置作業時間:
16 週 工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。
最少: 1   多個: 1
單價:
HK$-.--
總價:
HK$-.--
估計關稅:

Pricing (HKD)

數量 單價
總價
HK$32.39 HK$32.39
HK$21.21 HK$212.10
HK$15.62 HK$1,562.00
HK$13.81 HK$6,905.00
HK$11.84 HK$11,840.00
HK$11.18 HK$22,360.00

商品屬性 屬性值 選擇屬性
STMicroelectronics
產品類型: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
650 V
20 A
150 mOhms
- 30 V, 30 V
3.2 V
32 nC
- 55 C
+ 150 C
140 W
Enhancement
Tube
品牌: STMicroelectronics
配置: Single
下降時間: 10 ns
產品類型: MOSFETs
上升時間: 5 ns
系列: MDmesh M9
原廠包裝數量: 1000
子類別: Transistors
標準斷開延遲時間: 40 ns
標準開啟延遲時間: 12 ns
每件重量: 2 g
找到產品:
若要顯示類似商品,請選取至少一個核選方塊
至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

此功能需要啟用JavaScript。

CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

MDmesh™ M9功率MOSFET

STMicroelectronics MDmesh™ M9功率MOSFET具備強化裝置結構、低導通電阻和低閘極電荷值。這些功率MOSFET具有高反向二極體dv/dt和MOSFET dv/dt耐用性、高功率密度和低傳導耗損。MDmesh M9功率MOSFET亦具有高開關速度、高效率和低開關功率耗損。這些功率MOSFET採用創新的高電壓超接面技術設計,可提供令人印象深刻的品質因數 (FoM)。高FoM可實現更高的功率等級和密度,進而使解決方案達到更輕巧的尺寸。其典型應用包括伺服器、電信資料中心、5G電力站、微型逆變器和快速充電器。

STP65N150M9 Power MOSFET

STMicroelectronics STP65N150M9 Power MOSFET is based on super-junction MDmesh M9 technology. The device is suitable for medium/high voltage MOSFETs featuring very low RDS(on) per area. The silicon-based M9 technology benefits from a multi-drain manufacturing process, allowing an enhanced device structure. The resulting product has one of the lower on-resistance and reduced gate charge values among all silicon-based fast-switching super-junction Power MOSFETs. This makes it ideal for applications that require superior power density and outstanding efficiency.