NGW30T60M3DF溝槽式場截止IGBT

Nexperia NGW30T60M3DF溝槽式場截止絕緣柵雙極電電晶體 (IGBT) 採用第三代技術,結合了載流子儲存溝槽式閘極和場截止 (FS) 結構。此IGBT的額定溫度高達+175°C,具有優化的IGBT關斷損耗以及5μs的短路耐受時間。此硬開關600V、30A IGBT針對高壓、低頻工業功率逆變器和伺服馬達驅動應用進行了最佳化。

結果: 10
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS ECAD模型 技術 封裝/外殼 安裝風格 配置 集電極-發射極最大電壓VCEO 集電極-發射極飽和電壓 柵極發射機最大電壓 連續集電極電流在25 C Pd - 功率消耗 最低工作溫度 最高工作溫度 封裝
Nexperia IGBT NGW30T65M3DFP/SOT429-2/TO247-3 250庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 30

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.5 V 20 V 57 A 199 W - 40 C + 175 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia IGBT NGW40T65H3DFP/SOT429-2/TO247-3 230庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 30

Si TO-247-3 Through Hole SIngle 650 V 1.7 V 20 V 72 A 275 W - 40 C + 175 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia IGBT NGW60T65M3DFP/SOT429-2/TO247-3 239庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 30

Si TO-247-3 SMD/SMT Single 650 V 1.45 V 20 V 80 A 431 W - 40 C + 175 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia IGBT NGW50T65H3DFP/SOT429-2/TO247-3 450庫存量
最少: 1
倍數: 1

TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.72 V 80 A 340 W - 40 C + 175 C
Nexperia IGBT NGW40T65H3DHP/SOT429-2/TO247-3 250庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 30

Si TO-247-3 SMD/SMT Single 650 V 1.69 V 20 V 72 A 275 W - 40 C + 175 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia IGBT NGW40T65M3DFP/SOT429-2/TO247-3 450庫存量
最少: 1
倍數: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.5 V 72 A 283 W - 40 C + 175 C
Nexperia IGBT NGW50T65M3DFP/SOT429-2/TO247-3 244庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 30

Si TO-247-3 SMD/SMT Single 650 V 1.46 V 20 V 80 A 368 W - 40 C + 175 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia IGBT NGW75T65H3DFP/SOT429-2/TO247-3 245庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 30

Si TO-247-3 SMD/SMT Single 650 V 1.68 V 20 V 80 A 502 W - 40 C + 175 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia IGBT NGW75T65M3DFP/SOT429-2/TO247-3 250庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 30

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.49 V 20 V 80 A 529 W - 40 C + 175 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia IGBT NGW75T65H3DF/SOT429-2/TO247-3L
480預期17/3/2026
最少: 1
倍數: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V 80 A 600 W - 40 C + 175 C