SIZF906BDT-T1-GE3

Vishay / Siliconix
78-SIZF906BDT-T1-GE3
SIZF906BDT-T1-GE3

製造商:

說明:
MOSFET PPAIR6X5 2NCH 30V 36A

ECAD模型:
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Pricing (HKD)

數量 單價
總價
零卷 / MouseReel™
HK$22.69 HK$22.69
HK$14.71 HK$147.10
HK$10.11 HK$1,011.00
HK$8.21 HK$4,105.00
HK$7.59 HK$7,590.00
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HK$6.70 HK$20,100.00
† HK$55.00 MouseReel™費用將加入您的購物車內並自動計算。所有MouseReel™訂單均不能取消和不能退換。

商品屬性 屬性值 選擇屬性
Vishay
產品類型: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
PowerPAIR-6x5F-8
N-Channel
2 Channel
30 V
105 A, 257 A
680 uOhms, 2.1 mOhms
- 16 V, 20 V
2.2 V
25 nC, 81 nC
- 55 C
+ 150 C
38 W, 83 W
Enhancement
TrenchFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
品牌: Vishay / Siliconix
配置: Dual
下降時間: 5 ns, 10 ns
互導 - 最小值: 93 S, 170 S
產品類型: MOSFETs
上升時間: 5 ns, 30 ns
原廠包裝數量: 3000
子類別: Transistors
晶體管類型: TrenchFET Gen IV Power MOSFET
標準斷開延遲時間: 22 ns, 40 ns
標準開啟延遲時間: 12 ns, 20 ns
每件重量: 337.318 mg
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所選屬性: 0

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CNHTS:
8504409100
TARIC:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

SiZF906BDT Dual N-Channel (D-S) MOSFET

Vishay / Siliconix SiZF906BDT Dual N-Channel (D-S) MOSFET is a SkyFET® low side MOSFET with integrated schottky. The TrenchFET® Gen IV power MOSFET is offered in a PowerPAIR 6x5F package and is 100% Rg and UIS tested. The Vishay / Siliconix SiZF906BDT Dual MOSFET is ideal for CPU core power, computer/server peripherals, POL, synchronous buck converter, and telecom DC/DC applications.