NVHL070N120M3S

onsemi
863-NVHL070N120M3S
NVHL070N120M3S

製造商：

說明：
碳化矽MOSFET SIC MOS TO247-3L 70MOHM 1200V M3

規格書:
ECAD模型:
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單價:
HK$-.--
總價:
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Pricing (HKD)

數量 單價
總價
HK$131.68 HK$131.68
HK$93.13 HK$931.30
HK$79.90 HK$9,588.00

商品屬性 屬性值 選擇屬性
onsemi
產品類型: 碳化矽MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
34 A
87 mOhms
- 10 V, + 22 V
4.4 V
57 nC
- 55 C
+ 175 C
160 W
Enhancement
EliteSiC
品牌: onsemi
配置: Single
下降時間: 9.6 ns
互導 - 最小值: 12 S
封裝: Tube
產品類型: SiC MOSFETS
上升時間: 24 ns
系列: NVHL070N120M3S
原廠包裝數量: 30
子類別: Transistors
技術: SiC
標準斷開延遲時間: 29 ns
標準開啟延遲時間: 10 ns
找到產品:
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所選屬性: 0

規格書

PCN

USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

NVHL070N120M3S EliteSiC Automotive SiC MOSFET

onsemi NVHL070N120M3S EliteSiC Automotive Silicone Carbide (SiC) MOSFET is a 1200V M3S planar device optimized for fast switching applications. Planar technology works reliably with negative gate voltage drive and turn-off spikes on the gate. This device delivers optimum performance when driven with an 18V gate drive but also works well with a 15V gate drive.

M3S EliteSiC MOSFETs

onsemi M3S EliteSiC MOSFETs are solutions for high-frequency switching applications that employ hard-switched topologies. The onsemi M3S MOSFETs are designed to optimize performance and efficiency. The device has a remarkable ~40% reduction in total switching losses (Etot) compared to the 1200V 20mΩ M1 counterparts. The M3S EliteSiC MOSFETs are perfectly suited for various applications, including solar power systems, onboard chargers, and electric vehicle (EV) charging stations.

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