SiC MOSFETs C3M™(採用TOLL封裝)

Wolfspeed SiC MOSFETs C3M™採用TOLL封裝,具備比標準矽MOSFET更低的導通狀態電阻溫度依賴性。這些MOSFET具備優越的切換速度和低傳導耗損,是下一代電源供應器達成高功率高效率的關鍵。SiC MOSFET針對高效能電力電子應用最佳化,適合的應用包括企業、伺服器、電信電源供應器、電動車充電、能源儲存和電池管理系統。

結果: 4
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS ECAD模型 安裝風格 封裝/外殼 晶體管極性 通道數 Vds - 漏-源擊穿電壓 Id - C連續漏極電流 Rds On - 漏-源電阻 Vgs - 閘極-源極電壓 Vgs th - 門源門限電壓 Qg - 閘極充電 最低工作溫度 最高工作溫度 Pd - 功率消耗 通道模式
Wolfspeed 碳化矽MOSFET SiC, MOSFET, 160mohm, 1200V, TO-263-7, Industrial 1,014庫存量
最少: 1
倍數: 1

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 17 A 208 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 24 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement
Wolfspeed 碳化矽MOSFET SiC, MOSFET, 25mO, 650V, TOLL, T&R, Industrial 850庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 2,000

SMD/SMT TOLL-8 N-Channel 1 Channel 650 V 77 A 25 mOhms - 8 V, + 19 V 2.3 V 111 nC - 40 C + 175 C 326 W Enhancement
Wolfspeed 碳化矽MOSFET SiC, MOSFET, 45mO, 650V, TOLL, T&R, Industrial 1,906庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 2,000

SMD/SMT TOLL-9 N-Channel 1 Channel 650 V 49 A 60 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 59 nC - 40 C + 175 C 164 W Enhancement
Wolfspeed 碳化矽MOSFET SiC, MOSFET, 60mohm, 650V, TOLL,T&R, Industrial 1,193庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 2,000

SMD/SMT TOLL-9 N-Channel 1 Channel 650 V 39 A 79 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 46 nC - 40 C + 175 C 131 W Enhancement