BSH205G2 20V P-Channel Trench MOSFET

Nexperia BSH205G2 20V P-Channel Trench MOSFET is an enhancement mode field-effect transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. The device employs Trench MOSFET technology and offers a low threshold voltage with very fast switching. The BSH205G2 MOSFET is ideal for applications like relay drivers, high-speed line drivers and switching circuits.

結果: 3
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 技術
安裝風格
封裝/外殼
晶體管極性
通道數
Vds - 漏-源擊穿電壓
Id - C連續漏極電流
Rds On - 漏-源電阻
Vgs - 閘極-源極電壓
Vgs th - 門源門限電壓
Qg - 閘極充電
最低工作溫度
最高工作溫度
Pd - 功率消耗
通道模式
封裝
Nexperia MOSFET SOT23 P-CH 20V 2.6A
規格書
2,351庫存量
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
捲: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 20 V 2.6 A 118 mOhms - 8 V, 8 V 900 mV 4.6 nC - 55 C + 175 C 1.3 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFET SOT23 P-CH 20V 2.3A
規格書
38,699預期8/2/2027
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
捲: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 20 V 2.3 A 170 mOhms - 8 V, 8 V 450 mV 6.5 nC - 55 C + 150 C 890 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFET SOT23 P-CH 20V 2.3A
規格書
29,979預期8/2/2027
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
捲: 10,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 20 V 2.3 A 170 mOhms - 8 V, 8 V 950 mV 6.5 nC - 55 C + 150 C 890 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel