EPC2305

EPC
65-EPC2305
EPC2305

製造商:

說明:
氮化鎵場效應管 EPC eGaN FET,150 V, 2.2 milliohm typ at 5 V, QFN 3 x 5mm

壽命週期:
Mouser新產品
ECAD模型:
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Pricing (HKD)

數量 單價
總價
零卷 / MouseReel™
HK$72.42 HK$72.42
HK$49.40 HK$494.00
HK$36.33 HK$3,633.00
HK$35.92 HK$17,960.00
HK$31.40 HK$31,400.00
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HK$29.26 HK$87,780.00
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商品屬性 屬性值 選擇屬性
EPC
產品類型: 氮化鎵場效應管
RoHS:  
SMD/SMT
QFN-7
N-Channel
1 Channel
150 V
133 A
2.2 mOhms
- 4 V, 6 V
2.5 V
22 nC
- 40 C
+ 150 C
Enhancement
eGaN FET
品牌: EPC
配置: Single
濕度敏感: Yes
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
產品: Power Transistor
產品類型: GaN FETs
原廠包裝數量: 3000
子類別: Transistors
技術: GaN
晶體管類型: 1 N-Channel
每件重量: 31.200 mg
找到產品:
若要顯示類似商品,請選取至少一個核選方塊
至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

合規守則
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290040
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原產地分類
原產國:
馬來西亞
封裝原產國:
無資料
擴散國:
無資料
出貨時,國家可能會有所變更。

EPC2305 Enhancement-Mode GaN Power Transistor

Efficient Power Conversion (EPC) EPC2305 Enhancement-Mode Gallium Nitride (GaN) Power Transistor is available in a low-inductance 3mm x 5mm QFN package with an exposed top for excellent thermal management. The EPC2305 features 150V drain-source breakdown voltage (continuous) VDS and 2.2mΩ typical and 3mΩ maximum drain-source on resistance RDS(on). This power resistor from EPC provides efficient operation in many topologies, thanks to the ultra-low capacitance and zero reverse recovery (QRR) of the eGaN® FET. Typical applications for the EPC2305 include phones, notebooks, gaming PCs, power tools, home robotics, e-mobility, and solar.