STD12N60DM2AG

STMicroelectronics
511-STD12N60DM2AG
STD12N60DM2AG

製造商：

說明：
MOSFET Automotive-grade N-channel 600 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in
完成您的設計

規格書:
ECAD模型:
下載免費的庫載入器，為ECAD工具轉換此文件。瞭解更多關於 ECAD 型號的資訊。
更多資訊
瞭解更多關於STMicroelectronics STD12N60DM2AG的資訊

商品屬性 屬性值 選擇屬性
STMicroelectronics
產品類型: MOSFET
RoHS:  
DPAK-3 (TO-252-3)
- 55 C
+ 150 C
AEC-Q101
STD12N60DM2AG
Reel
Cut Tape
MouseReel
品牌: STMicroelectronics
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降時間: 9.5 ns
Id - C連續漏極電流: 10 A
安裝風格: SMD/SMT
通道數: 1 Channel
Pd - 功率消耗 : 110 W
產品類型: MOSFETs
Qg - 閘極充電: 14.5 nC
Rds On - 漏-源電阻: 440 mOhms
上升時間: 8 ns
原廠包裝數量: 2500
子類別: Transistors
技術: Si
公司名稱: MDmesh
晶體管極性: N-Channel
晶體管類型: 1 N-Channel
標準斷開延遲時間: 30 ns
標準開啟延遲時間: 15 ns
Vds - 漏-源擊穿電壓: 650 V
Vgs - 閘極-源極電壓: - 25 V, 25 V
Vgs th - 門源門限電壓 : 3 V
每件重量: 330 mg
找到產品:
若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊
至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

合規守則
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99
原產地分類
原產國:
中國
封裝原產國:
中國
擴散國:
無資料
出貨時，國家可能會有所變更。

STD12N60DM2AG N-channel Power MOSFET

STMicroelectronics STD12N60DM2AG N-channel Power MOSFET is a part of the MDmesh™ DM2 fast-recovery diodes. This automotive-grade N-channel power MOSFET offers very low recovery charge (Qrr) and recovery time (trr) combined with low RDS(on). This power MOSFET features low gate charge, low input capacitance, low on-resistance, high dv/dt ruggedness, and Zener-protection. STMicroelectronics STD12N60DM2AG N-channel Power MOSFET is suitable for demanding high-efficiency converters and for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.

庫存量: 2,383

庫存：
2,383 可立即送貨
工廠前置作業時間：
24 週 工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。
最少： 1   多個： 1
單價:
HK$-.--
總價:
HK$-.--
估計關稅:
包裝:
完整捲（訂購多個2500）

Pricing (HKD)

數量 單價
總價
零卷 / MouseReel™ †
HK$28.03 HK$28.03
HK$18.17 HK$181.70
HK$12.58 HK$1,258.00
HK$10.52 HK$5,260.00
HK$9.95 HK$9,950.00
完整捲（訂購多個2500）
HK$9.12 HK$22,800.00
† HK$55.00 MouseReel™費用將加入您的購物車內並自動計算。所有MouseReel™訂單均不能取消和不能退換。 ↩

發生意外的錯誤。


有問題嗎？ 請瀏覽幫助中心。
有關特定訂單的問題，請登入您的帳戶。

如有其他問題，請致電800-346-6873或發送郵件至 help@mouser.com 與我們聯絡。