TGF2954

Qorvo
772-TGF2954
TGF2954

製造商：

說明：
氮化鎵場效應管 DC-12GHz 27W 32V GaN P3dB @ 3GHz 44.5dBm

規格書:
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Pricing (HKD)

數量 單價
總價
HK$747.77 HK$37,388.50
HK$699.36 HK$69,936.00

商品屬性 屬性值 選擇屬性
Qorvo
產品類型: 氮化鎵場效應管
付運限制：
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RoHS:  
SMD/SMT
Die
N-Channel
32 V
1.7 A
- 65 C
+ 150 C
34.5 W
品牌: Qorvo
配置: Single
增益: 19.6 dB
最大工作頻率: 15 GHz
最低工作頻率: 0 Hz
輸出功率: 27 W
封裝: Gel Pack
產品類型: GaN FETs
系列: TGF2954
原廠包裝數量: 50
子類別: Transistors
技術: GaN-on-SiC
晶體管類型: GaN HEMT
零件號別名: 1112246
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5-0810-13

規格書

PCN

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CNHTS:
8542319000
CAHTS:
8542330000
USHTS:
8542390090
JPHTS:
8542330996
KRHTS:
8532331000
MXHTS:
8542330201
ECCN:
3A001.b.3.b.2

TGF2954 GaN on SiC HEMT

Qorvo TGF2954 Gallium-Nitride (GaN) on Silicon Carbide (SiC) High-Electron Mobility Transistor (HEMT) operates from DC to 12GHz and typically provides 44.5dBm of saturated output power (PSAT) with a power gain of 19.6dB. This field-effect transistor (FET) can switch faster than silicon power transistors. This function, combined with its small footprint, provides more energy efficiency while creating more space for external components. Qorvo TGF2954 GaN on SiC Transistor is offered as a bare die, with chip dimensions of 1.01mm x 1.68mm x 0.10mm. It has a maximum power-added efficiency range of 71.5%, making it appropriate for high-efficiency applications. Typical applications include satellite, point-to-point, and military communications as well as marine radar, defense and aerospace, amplifiers, and broadband wireless.

QPD GaN RF Transistors

Qorvo QPD GaN RF Transistors can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for macrocell high-efficiency systems. These GaN transistors are discrete GaN on SiC HEMTs with a single-stage matched power amplifier transistor. Typical applications include W-CDMA/LTE, Macrocell base station, active antenna and general purpose applications.

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