F3L200R07W2S5FP EasyPACK™ IGBT Modules

Infineon Technologies F3L200R07W2S5FP EasyPACK™ IGBT Modules feature up to 650V increased blocking voltage capability and employ CoolSiC™ Schottky diode (gen5). These devices are based on TRENCHSTOP™ IGBT5  and PressFIT contact technology. The F3L200R07W2S5FP IGBT modules provide strongly reduced switching losses and an Al2O3 substrate with low thermal resistance. These modules come with a compact design comprising rugged mounting due to integrated mounting clamps and pre-applied thermal interface material. The F3L200R07W2S5FP IGBT modules are ideal for motor drives, solar applications, 3-level applications, and UPS systems.  

結果: 3
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS ECAD模型 產品 配置 集電極-發射極最大電壓VCEO 集電極-發射極飽和電壓 連續集電極電流在25 C 柵射極漏電電流 最低工作溫度 最高工作溫度 封裝
Infineon Technologies IGBT 模組 650 V, 200 A 3-level IGBT module 前置作業時間 10 週
最少: 1
倍數: 1

SiC IGBT Modules 3-Phase Inverter 650 V 1.17 V 200 A 100 nA - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模組 650 V, 200 A 3-level IGBT module 無庫存前置作業時間 10 週
最少: 18
倍數: 18

Tray
Infineon Technologies F3L200R07W2S5FPB56BPSA1
Infineon Technologies IGBT 模組 650 V, 200 A 3-level IGBT module 無庫存前置作業時間 10 週
最少: 18
倍數: 18

Tray