IGOT65R055D2AUMA1

Name: Infineon IGOT65R055D2AUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IGOT65R055D2AUMA
Price: 60.58 HKD
Availability: InStock

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Mouser 編號：

726-IGOT65R055D2AUMA

製造商編號：

IGOT65R055D2AUMA1

製造商：

Infineon Technologies

說明：

氮化鎵場效應管 HV GAN DISCRETES

壽命週期:

新產品:

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規格書:

IGOT65R055D2AUMA1 規格書 (PDF)

ECAD模型:

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	Infineon
產品類型:	氮化鎵場效應管
RoHS:
安裝風格:	SMD/SMT
晶體管極性:	HEMT
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	650 V
Rds On - 漏-源電阻:	66 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 10 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	1.6 V
Qg - 閘極充電:	6.6 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 150 C
Pd - 功率消耗 :	83 W
通道模式:	Enhancement
技術:	GaN
品牌:	Infineon Technologies
配置:	Single
濕度敏感:	Yes
封裝:	Reel
封裝:	Cut Tape
產品:	Power Transistors
產品類型:	GaN FETs
原廠包裝數量:	800
子類別:	Transistors
晶體管類型:	1 N-Channel
類型:	GaN Power Transistor

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所選屬性: 0

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規格書

IGOT65R055D2AUMA1 規格書 (PDF)

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合規守則

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原產地分類

原產國:: 印度尼西亞
封裝原產國:: 印度尼西亞
擴散國:: 奧地利

出貨時，國家可能會有所變更。

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