MOSFET – Mouser 香港

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600V CoolMOS P7功率晶體管

Infineon 600V CoolMOS P7功率晶體管是第7代裝置並採用適用於高電壓功率MOSFETs的革新性技術。該晶體管根據超結(SJ)原則設計而成，由Infineon Technologies率先製造。600V CoolMOS P7綜合快速開關SJ MOSFET的益處與卓越易用性於一體。600V P7擁有極低的響鈴趨勢、可承受繁重交換任務的卓越體二晶體堅固性，以及出色的防靜電性能。極低的開關和傳導損失使開關應用更高效、纖巧和更低溫。
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安裝風格

封裝/外殼

Vds - 漏-源擊穿電壓

Id - C連續漏極電流

Rds On - 漏-源電阻

Vgs th - 門源門限電壓

Qg - 閘極充電

最低工作溫度

Pd - 功率消耗

封裝

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零件編號

MOSFET HIGH POWER_NEW

IPW60R120P7XKSA1
Infineon Technologies
1: HK$22.93
217庫存量
240預期16/2/2026

製造商元件編號
IPW60R120P7XKSA1

Mouser 元件編號
726-IPW60R120P7XKSA1

Infineon Technologies

MOSFET HIGH POWER_NEW

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規格書

217庫存量

240預期16/2/2026

HK$22.93

HK$22.44

HK$19.23

HK$16.60

HK$12.91

最少： 1
倍數： 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

26 A

100 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

36 nC

- 55 C

+ 150 C

95 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

MOSFET HIGH POWER_NEW

IPZA60R037P7XKSA1
Infineon Technologies
1: HK$82.69
130庫存量

製造商元件編號
IPZA60R037P7XKSA1

Mouser 元件編號
726-IPZA60R037P7XKSA

Infineon Technologies

MOSFET HIGH POWER_NEW

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規格書

130庫存量

HK$82.69

HK$80.80

HK$47.02

HK$41.76

檢視

最少： 1
倍數： 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

600 V

76 A

30 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

121 nC

- 55 C

+ 150 C

255 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

MOSFET HIGH POWER_NEW

IPZA60R080P7XKSA1
Infineon Technologies
1: HK$49.81
174庫存量

製造商元件編號
IPZA60R080P7XKSA1

Mouser 元件編號
726-IPZA60R080P7XKSA

Infineon Technologies

MOSFET HIGH POWER_NEW

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規格書

174庫存量

HK$49.81

HK$29.84

HK$24.91

HK$21.54

最少： 1
倍數： 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

600 V

37 A

69 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

51 nC

- 55 C

+ 150 C

129 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

MOSFET HIGH POWER_NEW

IPW60R180P7XKSA1
Infineon Technologies
1: HK$28.03
42,720在途量

製造商元件編號
IPW60R180P7XKSA1

Mouser 元件編號
726-IPW60R180P7XKSA1

Infineon Technologies

MOSFET HIGH POWER_NEW

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規格書

42,720在途量

HK$28.03

HK$15.29

HK$12.49

HK$9.62

HK$9.29

最少： 1
倍數： 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

18 A

145 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

72 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

MOSFET HIGH POWER_NEW

IPP60R060P7XKSA1
Infineon Technologies
1: HK$38.47
2,947在途量

製造商元件編號
IPP60R060P7XKSA1

Mouser 元件編號
726-IPP60R060P7XKSA1

Infineon Technologies

MOSFET HIGH POWER_NEW

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規格書

2,947在途量

HK$38.47

HK$22.52

HK$21.45

HK$17.76

HK$17.51

最少： 1
倍數： 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

48 A

49 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

67 nC

- 55 C

+ 150 C

164 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

MOSFET HIGH POWER_NEW

IPP60R080P7XKSA1
Infineon Technologies
1: HK$38.96
5,500在途量

製造商元件編號
IPP60R080P7XKSA1

Mouser 元件編號
726-IPP60R080P7XKSA1

Infineon Technologies

MOSFET HIGH POWER_NEW

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規格書

5,500在途量

HK$38.96

HK$19.65

HK$18.33

HK$15.12

HK$14.55

最少： 1
倍數： 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

37 A

69 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

51 nC

- 55 C

+ 150 C

129 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

MOSFET HIGH POWER_NEW

IPW60R060P7XKSA1
Infineon Technologies
1: HK$57.05
906預期2/7/2026

製造商元件編號
IPW60R060P7XKSA1

Mouser 元件編號
726-IPW60R060P7XKSA1

Infineon Technologies

MOSFET HIGH POWER_NEW

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規格書

906預期2/7/2026

HK$57.05

HK$32.88

HK$27.54

HK$24.25

最少： 1
倍數： 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

48 A

49 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

67 nC

- 55 C

+ 150 C

164 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

MOSFET HIGH POWER_NEW

IPW60R080P7XKSA1
Infineon Technologies
1: HK$48.74
1,601預期14/5/2026

製造商元件編號
IPW60R080P7XKSA1

Mouser 元件編號
726-IPW60R080P7XKSA1

Infineon Technologies

MOSFET HIGH POWER_NEW

了解更多

規格書

1,601預期14/5/2026

HK$48.74

HK$34.03

HK$27.54

HK$24.41

HK$20.96

最少： 1
倍數： 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

37 A

69 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

51 nC

- 55 C

+ 150 C

129 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

MOSFET LOW POWER_NEW

IPA60R280P7XKSA1
Infineon Technologies
1: HK$18.66
1,000預期2/3/2026

製造商元件編號
IPA60R280P7XKSA1

Mouser 元件編號
726-IPA60R280P7XKSA1

Infineon Technologies

MOSFET LOW POWER_NEW

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規格書

1,000預期2/3/2026

HK$18.66

HK$10.11

HK$8.30

HK$6.68

檢視

最少： 1
倍數： 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

12 A

214 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

18 nC

- 55 C

+ 150 C

24 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

MOSFET HIGH POWER_NEW

IPZA60R060P7XKSA1
Infineon Technologies
1: HK$58.03
227預期3/7/2026

製造商元件編號
IPZA60R060P7XKSA1

Mouser 元件編號
726-IPZA60R060P7XKSA

Infineon Technologies

MOSFET HIGH POWER_NEW

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規格書

227預期3/7/2026

HK$58.03

HK$34.20

HK$29.02

HK$24.66

報價

最少： 1
倍數： 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

600 V

48 A

49 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

67 nC

- 55 C

+ 150 C

164 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

MOSFET HIGH POWER_NEW

IPZA60R045P7XKSA1
Infineon Technologies
1: HK$66.91
無庫存前置作業時間 12 週

製造商元件編號
IPZA60R045P7XKSA1

Mouser 元件編號
726-IPZA60R045P7XKSA

Infineon Technologies

MOSFET HIGH POWER_NEW

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規格書

無庫存前置作業時間 12 週

HK$66.91

HK$39.46

HK$33.21

HK$29.26

最少： 1
倍數： 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

61 A

45 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

90 nC

- 55 C

+ 150 C

201 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

600V CoolMOS P7功率晶體管

客戶服務部

公司

資源

支援

6 A
9 A
10 A
12 A
13 A
18 A
19 A
20 A
23.8 A
26 A
27 A
31 A
33 A
37 A
39 A
41 A
48 A
61 A
76 A
101 A

24 mOhms
30 mOhms
45 mOhms
49 mOhms
53 mOhms
69 mOhms
73 mOhms
77 mOhms
85 mOhms
100 mOhms
104 mOhms
145 mOhms
149 mOhms
160 mOhms
180 mOhms
214 mOhms
218 mOhms
300 mOhms
305 mOhms
310 mOhms

7 W
21 W
22 W
24 W
26 W
28 W
29 W
30 W
41 W
46 W
53 W
59 W
72 W
81 W
95 W
111 W
117 W
129 W
137 W
154 W