TK110N65Z,S1F

Toshiba
757-TK110N65ZS1F
TK110N65Z,S1F

製造商：

說明：
MOSFET MOSFET 650V 110mOhms DTMOS-VI

規格書:
ECAD模型:
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最少： 1   多個： 1
單價:
HK$-.--
總價:
HK$-.--
估計關稅:

Pricing (HKD)

數量 單價
總價
HK$61.73 HK$61.73
HK$35.84 HK$358.40
HK$35.76 HK$4,291.20
HK$26.96 HK$13,749.60

商品屬性 屬性值 選擇屬性
Toshiba
產品類型: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
650 V
24 A
110 mOhms
- 30 V, 30 V
4 V
40 nC
- 55 C
+ 150 C
190 W
Enhancement
Tube
品牌: Toshiba
下降時間: 4 ns
產品類型: MOSFETs
上升時間: 35 ns
系列: DTMOS VI
原廠包裝數量: 30
子類別: Transistors
晶體管類型: 1 N-Channel
標準斷開延遲時間: 90 ns
標準開啟延遲時間: 62 ns
每件重量: 6 g
找到產品:
若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊
至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

TK110N65Z DTMOSVI Power MOSFET

Toshiba TK110N65Z DTMOSVI Power MOSFET features a low drain-source on-resistance of RDS(ON) = 0.092Ω (typ.). The MOSFET has high-speed switching properties, lower capacitance, and an enhancement mode of Vth = 3V to 4V (VDS = 10V, ID = 1.02mA). The Toshiba TK110N65Z is ideal for switching power supply applications.

DTMOSVI MOSFET

Toshiba DTMOSVI系列MOSFET提供低漏極導通電阻（RDS(ON)= 0.033Ω（典型值））。這些裝置擁有650V漏源電壓和57A漏極電流。DTMOSVI系列MOSFET提供具有更低電容的高速切換屬性。這些MOSFET理想適用於開關電源應用。

650V DTMOS-VI Superjunction MOSFETs

Toshiba 650V DTMOS-VI Superjunction MOSFETs are designed to operate in switching power supplies. These N-channel MOSFETs feature high-speed switching properties with lower capacitance. The Toshiba 650V DTMOS-VI Superjunction MOSFETs silicon MOSFETs offer a typical 0.092Ω to 0.175Ω low drain-source on-resistance. These devices feature a drain-source voltage of 10V.

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