STP80N600K6

Name: STMicroelectronics STP80N600K6
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STP80N600K6
Price: 27.21 HKD
Availability: InStock

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Mouser 編號：

511-STP80N600K6

製造商編號：

STP80N600K6

製造商：

STMicroelectronics

說明：

MOSFET N-channel 800 V, 515 mOhm typ., 7 A MDmesh K6 Power MOSFET

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規格書:

STP80N600K6 規格書 (PDF)

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HK$-.--

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Pricing (HKD)

數量	單價	總價
	HK$27.21	HK$27.21
	HK$15.70	HK$157.00
	HK$12.17	HK$1,217.00
	HK$10.03	HK$5,015.00
	HK$8.96	HK$8,960.00

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	STMicroelectronics
產品類型:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
安裝風格:	Through Hole
封裝/外殼:	TO-220-3
晶體管極性:	N-Channel
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	800 V
Id - C連續漏極電流:	7 A
Rds On - 漏-源電阻:	600 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 30 V, 30 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	4 V
Qg - 閘極充電:	10.7 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 150 C
Pd - 功率消耗 :	86 W
通道模式:	Enhancement
封裝:	Tube
品牌:	STMicroelectronics
下降時間:	12.6 ns
產品類型:	MOSFETs
上升時間:	4.1 ns
原廠包裝數量:	50
子類別:	Transistors
晶體管類型:	1 N-Channel
標準斷開延遲時間:	28.2 ns
標準開啟延遲時間:	9 ns
每件重量:	2 g

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合規守則

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原產地分類

原產國:: 中國
封裝原產國:: 無資料
擴散國:: 無資料

出貨時，國家可能會有所變更。

N-Channel MDmesh K6 Power MOSFETs

STMicroelectronics N-Channel MDmesh K6 Power MOSFETs are Zener-protected and 100% avalanche-tested. These power MOSFETs feature 800V minimum drain-source breakdown voltage, ±30V gate-source voltage, and -55°C to 150°C operating junction temperature range. The MDmesh K6 Power MOSFETs also feature 5V/ns peak diode recovery voltage slope, 100A/µs peak diode recovery current slope, and 120V/ns MOSFET dv/dt ruggedness. Typical applications include notebook and AIO, flyback converters, adapters for tablets, and LED lighting.

STP80N600K6 MDmesh K6 Power MOSFET

STMicroelectronics STP80N600K6 MDmesh K6 Power MOSFET offers a very high voltage, N-channel power solution utilizing the ultimate MDmesh K6 technology. This K6 technology is based on 20 years of STMicroelectronics experience in super junction technology. The result of this technology allows the STMicro STP80N600K6 to feature best-in-class on-resistance per area and gate charge for applications demanding superior power density and high efficiency.