FDA38N30

onsemi
512-FDA38N30
FDA38N30

製造商：

說明：
MOSFET UniFET1 300V N-chan MOSFET

規格書:
ECAD模型:
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庫存量: 1,901

庫存：
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工廠前置作業時間：
8 週 工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。
最少： 1   多個： 1
單價:
HK$-.--
總價:
HK$-.--
估計關稅:

Pricing (HKD)

數量 單價
總價
HK$39.62 HK$39.62
HK$23.18 HK$231.80
HK$19.23 HK$1,923.00
HK$17.43 HK$7,843.50

商品屬性 屬性值 選擇屬性
onsemi
產品類型: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-3PN-3
N-Channel
1 Channel
300 V
38 A
70 mOhms
- 30 V, 30 V
5 V
60 nC
- 55 C
+ 125 C
312 W
Enhancement
UniFET
Tube
品牌: onsemi
配置: Single
組裝國家: CN
擴散國: KR
原產國: CN
互導 - 最小值: 6.3 S
產品類型: MOSFETs
系列: FDA38N30
原廠包裝數量: 450
子類別: Transistors
晶體管類型: 1 N-Channel
每件重量: 4.600 g
找到產品:
若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊
至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

FDA38N30 Mosfet Power UniFET™ Transistors

onsemi FDA38N30 Mosfet Power UniFET™ Transistors are N-Channel enhancement mode power field effect transistors produced using proprietary, planar stripe, DMOS technology. onsemi's Mosfet Power UniFET Transistors utilize advanced technology that minimizes on-state resistance, provides superior switching performance, and withstands high-energy pulse in the avalanche and commutation mode. Features include fast switching, improved dv/dt capability, ESD improved capability, low gate charge, 300V drain to source voltage, and more.

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