SIS890ADN-T1-GE3

Vishay / Siliconix
78-SIS890ADN-T1-GE3
SIS890ADN-T1-GE3

製造商：

說明：
MOSFET PWRPK 100V 24.7A N-CH MOSFET

規格書:
ECAD模型:
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零卷 / MouseReel™ †
HK$10.85 HK$10.85
HK$6.86 HK$68.60
HK$4.53 HK$453.00
HK$3.59 HK$1,795.00
HK$3.27 HK$3,270.00
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HK$2.85 HK$8,550.00
HK$2.64 HK$15,840.00
HK$2.48 HK$22,320.00
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商品屬性 屬性值 選擇屬性
Vishay
產品類型: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
PowerPAK-1212-8
N-Channel
1 Channel
100 V
24.7 A
25.5 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
19.2 nC
- 55 C
+ 150 C
39 W
Enhancement
TrenchFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
品牌: Vishay / Siliconix
下降時間: 4 ns
互導 - 最小值: 45 S
產品類型: MOSFETs
上升時間: 6 ns
系列: SIS
原廠包裝數量: 3000
子類別: Transistors
晶體管類型: TrenchFET Power MOSFET
標準斷開延遲時間: 19 ns
標準開啟延遲時間: 9 ns
每件重量: 1 g
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所選屬性: 0

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CNHTS:
8541290000
TARIC:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

TrenchFET第四代MOSFET

Vishay / Siliconix TrenchFET®第四代MOSFET是下一代TrenchFET®系列功率MOSFET。TrenchFET第四代MOSFET在PowerPAK® SO-8及1212-8S封裝中提供工業低電阻與低柵極總電荷。這些TrenchFET第四代MOSFET具有極低的RDS(on)特性，轉化為更低的傳導損耗，從而降低功耗。TrenchFET MOSFET還配備了節省空間的PowerPAK® 1212-8封裝，具有類似的效率，但體積只有它的三分之一。典型應用包括大功率DC/DC變換器、同步整流、太陽能微型逆變器及電機驅動開關。

SiS890ADN N-Channel 100V MOSFET

Vishay / Siliconix SiS890ADN N-Channel 100V MOSFET offers 100VDC drain-source voltage, 40A pulsed drain current, and a single configuration. It features low RDS x Qg figure-of-merit (FOM) along with TrenchFET® GEn IV power. This MOSFET is 100% Rg and UIS tested. Vishay SiS890ADN N-Channel 100V MOSFET is ideally suited for synchronous rectification, primary side switches, DC/DC converters, and circuit protection.

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