NXH010P120MNF1 SiC Module

onsemi NXH010P120MNF1 SiC Module contains a 10Mohm 1200V SiC MOSFET half-bridge and an NTC thermistor in an F1 module. The module has a recommended gate voltage of 18-20V. The NXH010P120MNF1 has an improved RDS(ON) at a higher voltage and low thermal resistance.

結果: 4
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 技術
安裝風格
封裝/外殼
晶體管極性
Vds - 漏-源擊穿電壓
Id - C連續漏極電流
Rds On - 漏-源電阻
Vgs - 閘極-源極電壓
Vgs th - 門源門限電壓
最低工作溫度
最高工作溫度
Pd - 功率消耗
系列
封裝

onsemi MOSFET模組 PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 10MOHM(NI-PLATED)
規格書
23庫存量
最少： 1
倍數： 1
SiC NXH010P120MNF1 Tray

onsemi MOSFET模組 PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 10MOHM(NI-PLATED + TIM)
規格書
1,148工廠有庫存
更多資訊可用
最少： 28
倍數： 28
SiC Press Fit - 15 V, + 25 V - 40 C + 150 C NXH010P120MNF1 Tray

onsemi MOSFET模組 PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 10MOHM
規格書
56工廠有庫存
更多資訊可用
最少： 1
倍數： 1
SiC Press Fit Module N-Channel 1.2 kV 114 A 14 mOhms - 15 V, + 25 V 1.8 V - 40 C + 150 C 413 W NXH010P120MNF1 Tray
onsemi MOSFET模組 PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 10MOHM
規格書
168工廠有庫存
更多資訊可用
最少： 1
倍數： 1

SiC Press Fit - 15 V, + 25 V - 40 C + 150 C NXH010P120MNF1 Tray