QPD1013SR

Name: Qorvo QPD1013SR
Brand: Qorvo
SKU: 772-QPD1013SR
Price: 1481.82 HKD
Availability: OutOfStock

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Mouser 編號：

772-QPD1013SR

製造商編號：

QPD1013SR

製造商：

Qorvo

說明：

氮化鎵場效應管 DC-2.7GHz 150W PAE 64.8%

規格書:

QPD1013SR 規格書 (PDF)

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	Qorvo
產品類型:	氮化鎵場效應管
RoHS:
安裝風格:	SMD/SMT
封裝/外殼:	DFN-6
晶體管極性:	N-Channel
Id - C連續漏極電流:	1.7 A
最低工作溫度:	- 40 C
最高工作溫度:	+ 85 C
Pd - 功率消耗 :	67 W
品牌:	Qorvo
配置:	Single Triple Drain
開發套件:	QPD1013EVB01
增益:	21.8 dB
最大漏柵電壓:	65 V
最大工作頻率:	2.7 GHz
最低工作頻率:	1.2 GHz
濕度敏感:	Yes
輸出功率:	178 W
封裝:	Reel
產品類型:	GaN FETs
系列:	QPD1013
原廠包裝數量:	100
子類別:	Transistors
技術:	GaN
晶體管類型:	HEMT
零件號別名:	QPD1013
每件重量:	7.792 g

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規格書

QPD1013SR 規格書 (PDF)

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CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8517620090
USHTS:: 8541290055
TARIC:: 8517620000
ECCN:: EAR99

QPD1013 GaN RF Transistor

Qorvo QPD1013 GaN RF Transistor is a high-power, wide-bandwidth High Electron Mobility Transistor (HEMT) which operates from DC to 2.7GHz. This single-stage unmatched power transistor is a 150W discrete GaN on SiC device. The QPD1013 RF transistor features an over-molded plastic package and is suitable for numerous applications such as military radar, land mobile, and military radio communications.

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