QPD1013SR

Name: Qorvo QPD1013SR
Brand: Qorvo
SKU: 772-QPD1013SR
Price: 1281.91 HKD
Availability: OutOfStock

影像僅供參考
請參閱產品規格

Mouser 編號：

772-QPD1013SR

製造商編號：

QPD1013SR

製造商：

Qorvo

說明：

氮化鎵場效應管 DC-2.7GHz 150W PAE 64.8%

規格書:

QPD1013SR 規格書 (PDF)

ECAD模型:

下載免費的庫載入器，為ECAD工具轉換此文件。瞭解更多關於 ECAD 型號的資訊。

供貨情況

庫存：: 暫無庫存

發生意外錯誤了。請稍後再試。
工廠前置作業時間：: 20 週工廠預計生產時間。

輸入數量：

最少： 100 多個： 100

單價:

HK$-.--

總價:

HK$-.--

估計關稅:

此產品免費航運

Pricing (HKD)

數量	單價	總價
完整捲（訂購多個100）
	HK$1,281.91	HK$128,191.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	Qorvo
產品類型:	氮化鎵場效應管
RoHS:
安裝風格:	SMD/SMT
封裝/外殼:	DFN-6
晶體管極性:	N-Channel
Id - C連續漏極電流:	1.7 A
最低工作溫度:	- 40 C
最高工作溫度:	+ 85 C
Pd - 功率消耗 :	67 W
品牌:	Qorvo
配置:	Single Triple Drain
開發套件:	QPD1013EVB01
增益:	21.8 dB
最大漏柵電壓:	65 V
最大工作頻率:	2.7 GHz
最低工作頻率:	1.2 GHz
濕度敏感:	Yes
輸出功率:	178 W
封裝:	Reel
產品類型:	GaN FETs
系列:	QPD1013
原廠包裝數量:	100
子類別:	Transistors
技術:	GaN
晶體管類型:	HEMT
零件號別名:	QPD1013
每件重量:	7.792 g

找到產品:

若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊

至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。

所選屬性: 0

篩選文檔:

規格書

QPD1013SR 規格書 (PDF)

此功能需要啟用JavaScript。

CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8517620090
USHTS:: 8541290055
TARIC:: 8517620000
ECCN:: EAR99

QPD1013 GaN RF Transistor

Qorvo QPD1013 GaN RF Transistor is a high-power, wide-bandwidth High Electron Mobility Transistor (HEMT) which operates from DC to 2.7GHz. This single-stage unmatched power transistor is a 150W discrete GaN on SiC device. The QPD1013 RF transistor features an over-molded plastic package and is suitable for numerous applications such as military radar, land mobile, and military radio communications.

QPD GaN RF Transistors

Qorvo QPD GaN RF Transistors can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for macrocell high-efficiency systems. These GaN transistors are discrete GaN on SiC HEMTs with a single-stage matched power amplifier transistor. Typical applications include W-CDMA/LTE, Macrocell base station, active antenna and general purpose applications.