RFxDNZ Super Fast Recovery Diodes

ROHM Semiconductor RFxDNZ Super Fast Recovery Diodes are cathode common dual type diodes featuring low forward voltage and low switching loss. These recovery diodes include silicon epitaxial planar type construction. The RFxDNZ recovery diodes are stored at -55°C to 150°C temperature range. These fast recovery diodes operate at 150°C junction temperature and 10μA reverse current. The RFxDNZ super-fast recovery diodes are ideal for use in general rectification.

結果: 5
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 安裝風格
封裝/外殼
Vr - 反向電壓
If - 順向電流
類型
配置
Vf - 順向電壓
最大衝擊電流
Ir - 反向電流
恢復時間
最高工作溫度
封裝
ROHM Semiconductor 整流器 Super Fast Recovery Diode
規格書
4,469庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-220FN-3 300 V 20 A Super Fast Recovery Diode Dual 1.3 V 100 A 10 uA 25 ns + 150 C Tube
ROHM Semiconductor 整流器 Super Fast Recovery Diode
規格書
641庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-220FN-3 200 V 20 A Super Fast Recovery Diode Dual 930 mV 100 A 10 uA 30 ns + 150 C Tube
ROHM Semiconductor 整流器 Super Fast Recovery Diode
規格書
976庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-220FN-3 200 V 6 A Super Fast Recovery Diode Dual 930 mV 60 A 10 uA 25 ns + 150 C Tube
ROHM Semiconductor 整流器 Super Fast Recovery Diode
規格書
1,000預期28/8/2026
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-220FN-3 200 V 10 A Super Fast Recovery Diode Dual 930 mV 80 A 10 uA 30 ns + 150 C Tube
ROHM Semiconductor 整流器 Super Fast Recovery Diode
規格書
無庫存前置作業時間 12 週
最少： 1,000
倍數： 1,000

Through Hole TO-220FN-3 200 V 16 A Super Fast Recovery Diode Dual 930 mV 100 A 10 uA 30 ns + 150 C Tube