NTH4L018N075SC1

onsemi
863-NTH4L018N075SC1
NTH4L018N075SC1

製造商：

說明：
碳化矽MOSFET SIC MOS TO247-4L 750V

壽命週期:
新產品:
該製造商的新產品。
規格書:
ECAD模型:
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在途量:
900
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工廠前置作業時間：
18
週 工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。
最少： 1   多個： 1
單價:
HK$-.--
總價:
HK$-.--
估計關稅:

Pricing (HKD)

數量 單價
總價
HK$192.02 HK$192.02
HK$138.92 HK$1,389.20
HK$138.75 HK$13,875.00
HK$129.55 HK$58,297.50

商品屬性 屬性值 選擇屬性
onsemi
產品類型: 碳化矽MOSFET
RoHS:  
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
750 V
99 A
18 mOhms
- 8 V, + 22 V
4.3 V
262 nC
- 55 C
+ 175 C
500 W
Enhancement
EliteSiC
品牌: onsemi
配置: Single
下降時間: 9.6 ns
封裝: Tube
產品: SiC MOSFETS
產品類型: SiC MOSFETS
上升時間: 24 ns
系列: NTH4L018N075SC1
原廠包裝數量: 450
子類別: Transistors
技術: SiC
晶體管類型: 1 N-Channel
標準斷開延遲時間: 46 ns
標準開啟延遲時間: 24 ns
找到產品:
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至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

規格書

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

NTH4L018N075SC1 N通道SiC MOSFET

安森美 (onsemi) NTH4L018N075SC1 N通道碳化矽 (SiC) MOSFET是一款低導通電阻、750V M2 EliteSiC MOSFET，採用輕巧型TO247-4L封裝。此SiC MOSFET支援低電容 (Coss = 365pF) 的高速開關、內接二極體的零反向恢復電流和Kelvin源極組態。NTH4L018N075SC1 SiC MOSFET具有QG(tot) = 262nC的超低閘極電荷、-8V/+22V閘極至源極電壓，和500W功耗。典型應用包括太陽能逆變器、EV充電站、儲能系統、不斷電系統 (UPS) 和開關式電源供應器 (SMPS)。

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