RM150N60HD N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Rectron RM150N60HD N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET uses advanced Trench technology and design to provide excellent RDS(ON) and a low gate charge. This device features good stability and uniformity with high single pulse avalanche energy. The RM150N60HD is ideal for hard-switched and high-frequency circuits, power switching, and uninterruptible power supplies.

結果: 2
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS ECAD模型 技術 安裝風格 封裝/外殼 晶體管極性 通道數 Vds - 漏-源擊穿電壓 Id - C連續漏極電流 Rds On - 漏-源電阻 Vgs - 閘極-源極電壓 Vgs th - 門源門限電壓 Qg - 閘極充電 最低工作溫度 最高工作溫度 Pd - 功率消耗 通道模式 封裝
Rectron MOSFET 683庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-2 (TO-263-2) N-Channel 1 Channel 60 V 150 A 4.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 163 nC - 55 C + 175 C 220 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Rectron MOSFET MOSFET D2-PAK 暫無庫存
最少: 1,600
倍數: 800
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 60 V 150 A 4.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 163 nC - 55 C + 175 C 220 W Enhancement Reel