Silicon Carbide (SiC) Power Devices

ROHM Semiconductor SiC Power Devices deliver 10x the dielectric breakdown field strength, 3x the bandgap, and 3x the thermal conductivity of conventional silicon solutions. This translates to lower switching loss, lower ON resistance, and support for high-temperature operation, making it possible to minimize power loss along with module size. ROHM SiC Power Devices also allow designers to use fewer components, further reducing design complexity.

分離式半導體的類型
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 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS 產品類型
技術
安裝風格
封裝/外殼
ROHM Semiconductor 碳化矽MOSFET N-Ch 650V SiC 39A 60mOhm TrenchMOS
規格書
1,291預期5/10/2026
最少： 1
倍數： 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-3
ROHM Semiconductor 碳化矽肖特基二極管 SiC, SBD 650V 15A D2PAK
規格書
278預期23/11/2026
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
: 1,000

SiC Schottky Diodes SMD/SMT TO-263AB-3
ROHM Semiconductor 離散半導體模組 Half Bridge Module SiC DMOS & SBD 1200V
規格書
無庫存前置作業時間 39 週
最少： 12
倍數： 12

Discrete Semiconductor Modules SiC Screw Mount Module
ROHM Semiconductor 離散半導體模組 SIC Pwr Module Chopper
規格書
無庫存前置作業時間 39 週
最少： 4
倍數： 4

Discrete Semiconductor Modules SiC Screw Mount Module
ROHM Semiconductor MOSFET模組 SIC Pwr Module Half Bridge
規格書
無庫存前置作業時間 27 週
最少： 4
倍數： 4

MOSFET Modules SiC Screw Mount Module
ROHM Semiconductor 碳化矽肖特基二極管 DIODE: 8A 600V
規格書
無庫存前置作業時間 33 週
最少： 1,000
倍數： 1,000
: 1,000

SiC Schottky Diodes SMD/SMT TO-263AB-3
ROHM Semiconductor 碳化矽MOSFET 650V 93A 339W SIC 22mOhm TO-247N
規格書
產品評論
無庫存前置作業時間 27 週
最少： 450
倍數： 450

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-3
ROHM Semiconductor 碳化矽肖特基二極管 SiC Schottky Barrier Diode, 650V, 6A, 2nd Gen
規格書
無庫存前置作業時間 21 週

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220ACG-2
ROHM Semiconductor 碳化矽肖特基二極管 RECT 650V 12A SM SIC SKY
規格書
無庫存前置作業時間 29 週

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220ACG-2
ROHM Semiconductor 碳化矽肖特基二極管 SiC Schottky Barrier Diode, 650V, 20A, 2nd Gen
規格書
無庫存前置作業時間 21 週

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220ACG-2