NXH100B120H3Q0雙升壓功率模組

安森美 (onsemi) NXH100B120H3Q0雙升壓功率模組具高效率和優異的可靠性。NXH100B120H3Q0整合式電場截止溝槽IGBT和SiC二極體提供更低的傳導耗損和切換耗損。NXH100B120H3Q0雙升壓功率模組是儲能系統、太陽能逆變器和不斷電系統應用的理想選擇。

分離式半導體的類型

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結果: 4
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS 產品類型 技術 安裝風格 封裝/外殼
onsemi IGBT 模組 PIM 60-80KW Q0BOOST-L57 1200V 100A (PRESS-FIT PIN TIM) 28庫存量
最少: 1
倍數: 1

IGBT Modules SiC Press Fit Q0BOOST
onsemi NXH100B120H3Q0SG
onsemi 離散半導體模組 PIM 60-80KW Q0BOOST-L57 1200V 100A (SOLDER PIN) 24庫存量
最少: 1
倍數: 1
Discrete Semiconductor Modules Si
onsemi IGBT 模組 PIM 60-80KW Q0BOOST-L57 1200V 100A (SOLDER PIN TIM) 96工廠有庫存
最少: 24
倍數: 24

IGBT Modules SiC Press Fit Q0BOOST
onsemi NXH100B120H3Q0PG
onsemi 離散半導體模組 PIM 60-80KW Q0BOOST-L57 1200V 100A (PRESS-FIT PIN) 480工廠有庫存
最少: 24
倍數: 24
Discrete Semiconductor Modules Si