汽車級U-MOSIX-H功率MOSFET

Toshiba汽車級U-MOSIX-H功率MOSFET是40V N通道功率MOSFET,是汽車應用的理想選擇。這些裝置安裝在小型低電阻SOP Advance (WF) 封裝中。它們具有低導通電阻,可降低傳導損耗。與Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation以前的系列(U-MOSIV)相比,U-MOSIX-H系列還降低了開關噪音。

結果: 13
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS ECAD模型 技術 安裝風格 封裝/外殼 晶體管極性 通道數 Vds - 漏-源擊穿電壓 Id - C連續漏極電流 Rds On - 漏-源電阻 Vgs - 閘極-源極電壓 Vgs th - 門源門限電壓 Qg - 閘極充電 最低工作溫度 最高工作溫度 Pd - 功率消耗 通道模式 資格 封裝
Toshiba MOSFET 180W 1MHz Automotive; AEC-Q101 26,128庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 2,000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 1.35 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 103 nC + 175 C 180 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET PD=375W F=1MHZ AEC-Q101 757庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 1,000

Si SMD/SMT TO-220SM-3 N-Channel 1 Channel 40 V 250 A 740 uOhms - 20 V, 20 V 3 V 227 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET 170W 1MHz Automotive; AEC-Q101 7,881庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 5,000

Si SMD/SMT SOP-Advance-8 N-Channel 1 Channel 40 V 150 A 790 uOhms - 20 V, 20 V 3 V 85 nC + 175 C 170 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET 132W 1MHz Automotive; AEC-Q101 17,266庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 5,000

Si SMD/SMT DSOP-Advance-8 N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 1.14 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 55 nC - 55 C + 175 C 132 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET 205W 1MHz Automotive; AEC-Q101 1,831庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 1,000

Si SMD/SMT TO-220SM-3 N-Channel 1 Channel 40 V 160 A 1.35 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 103 nC + 175 C 205 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET 132W 1MHz Automotive; AEC-Q101 4,727庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 5,000

Si SMD/SMT SOP-Advance-8 N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 1.14 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 55 nC + 175 C 132 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET S-TOGL N-CH 40V 160A 2,440庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 1,500

Si Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET UMOS9 SOP-ADV(N) RDSon=0.65mohm(max) 23,074庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 5,000

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 30 V 420 A 410 uOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 110 nC + 175 C 210 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET UMOS9 SOP-ADV(N) RDSon=0.92mohm(max) 30,034庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 5,000

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 30 V 320 A 610 uOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 81 nC + 175 C 170 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET 170W 1MHz Automotive; AEC-Q101 3,581庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 5,000

Si SMD/SMT DSOP-Advance-8 N-Channel 1 Channel 40 V 150 A 790 uOhms - 20 V, 20 V 3 V 85 nC - 55 C + 175 C 170 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET 205W 1MHz Automotive; AEC-Q101 989庫存量
14,000在途量
最少: 1
倍數: 1
: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 40 V 160 A 1.5 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 103 nC + 175 C 205 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET UMOS9 SOP-ADV(N) RDSon=1.24mohm(max)
13,044在途量
最少: 1
倍數: 1
: 5,000

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 40 V 270 A 1 mOhms - 20 V, 20 V 2.4 V 74 nC + 175 C 170 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET UMOS9 SOP-ADV(N) RDSon=1.34mohm(max)
4,904預期15/6/2026
最少: 1
倍數: 1
: 5,000

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 60 V 280 A 1 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 91 nC + 175 C 210 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel