RGT20NL65GTL

ROHM Semiconductor
755-RGT20NL65GTL
RGT20NL65GTL

製造商：

說明：
IGBT 5s Short-Circuit Tolerance, 650V 10A, LPDL, Field Stop Trench IGBT

壽命週期:
NRND:
不建議用於新設計。
規格書:
ECAD模型:
下載免費的庫載入器，為ECAD工具轉換此文件。瞭解更多關於 ECAD 型號的資訊。
更多資訊
瞭解更多關於ROHM Semiconductor RGT20NL65GTL的資訊

庫存量: 1,000

庫存：
1,000 可立即送貨
工廠前置作業時間：
22 週 工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。
數量超過1000會受到最小訂單要求的限制。
最少： 1   多個： 1
單價:
HK$-.--
總價:
HK$-.--
估計關稅:

Pricing (HKD)

數量 單價
總價
HK$24.66 HK$24.66
HK$16.03 HK$160.30
HK$11.10 HK$1,110.00
HK$9.21 HK$4,605.00
完整捲（訂購多個1000）
HK$8.22 HK$8,220.00
2,000 報價

商品屬性 屬性值 選擇屬性
ROHM Semiconductor
產品類型: IGBT
RoHS:  
Si
TO-263-3
SMD/SMT
Single
650 V
2.1 V
30 V
20 A
53 W
- 40 C
+ 175 C
Reel
Cut Tape
品牌: ROHM Semiconductor
柵射極漏電電流: 200 nA
產品類型: IGBT Transistors
原廠包裝數量: 1000
子類別: IGBTs
零件號別名: RGT20NL65
找到產品:
若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊
至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

規格書

Specification Sheets

此功能需要啟用JavaScript。

USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

RGT20NL65 Field Stop Trench IGBT

ROHM Semiconductor RGT20NL65 Field Stop Trench IGBT features low collector-emitter saturation voltage, ideal for general inverter, UPS, power conditioner, and welding applications. The ROHM RGT20NL65 Field Stop Trench IGBT offers a short circuit withstand time of 5μs. Additionally, the device is specified to ±30V gate - emitter voltage and a 20A @ 25°C collector current.

Field Stop Trench IGBTs

ROHM Field Stop Trench IGBTs are energy-saving, high-efficiency IGBTs used in a wide range of high-voltage and high-current applications. These IGBTs feature a low collector and emitter saturation voltage, short-circuit that withstands time, and built-in very fast and soft recovery FRD. The field stop trench IGBTs are ideal for UPS, power conditioners, welder, and general inverters for industrial use.

發生意外的錯誤。


有問題嗎？ 請瀏覽幫助中心。
有關特定訂單的問題，請登入您的帳戶。

如有其他問題，請致電800-346-6873或發送郵件至 help@mouser.com 與我們聯絡。