TP65H050G4WS

Renesas Electronics
227-TP65H050G4WS
TP65H050G4WS

製造商：

說明：
氮化鎵場效應管 650V, 50mohm GaN FET in TO247-3L

規格書:
ECAD模型:
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單價:
HK$-.--
總價:
HK$-.--
估計關稅:

Pricing (HKD)

數量 單價
總價
HK$87.05 HK$87.05
HK$52.11 HK$521.10
HK$44.31 HK$4,431.00
HK$41.10 HK$36,990.00

商品屬性 屬性值 選擇屬性
Renesas Electronics
產品類型: 氮化鎵場效應管
RoHS:  
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
650 V
34 A
60 mOhms
- 20 V, + 20 V
4.8 V
24 nC
- 55 C
+ 150 C
119 W
Enhancement
品牌: Renesas Electronics
配置: Single
下降時間: 10.9 ns
封裝: Tube
產品類型: GaN FETs
上升時間: 11.3 ns
原廠包裝數量: 900
子類別: Transistors
技術: GaN
標準斷開延遲時間: 88.3 ns
標準開啟延遲時間: 49.2 ns
找到產品:
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至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

規格書

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

650V 34A GaN FETs

Renesas Electronics 650V 34A GaN (Gallium Nitride) FETs are normally-off devices using Renesas Electronics's Gen IV platform. The FETs combine a high voltage GaN HEMT with a low voltage silicon MOSFET. The Gen IV SuperGaN® platform uses advanced epi and patented design technologies to simplify manufacturability while improving efficiency over silicon via lower gate charge, output capacitance, crossover loss, and reverse recovery charge. GaN FETs have inherently superior performance over traditional silicon FETs, offering faster switching and better thermal performance.

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