PowerGaN E-Mode G-HEMT™ Transistors

STMicroelectronics PowerGaN E-Mode G-HEMT™ Transistors are high‑performance, enhancement‑mode (normally‑off) GaN devices designed to deliver exceptionally fast switching, low conduction losses, and high power density across demanding power‑conversion applications. These transistors leverage Gallium Nitride’s wide‑bandgap advantages to achieve extremely low capacitances, minimal gate charge, and zero reverse‑recovery charge, enabling superior efficiency compared to traditional silicon power switches.

結果: 9
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS ECAD模型 安裝風格 封裝/外殼 晶體管極性 通道數 Vds - 漏-源擊穿電壓 Id - C連續漏極電流 Rds On - 漏-源電阻 Vgs - 閘極-源極電壓 Vgs th - 門源門限電壓 Qg - 閘極充電 最低工作溫度 最高工作溫度 Pd - 功率消耗 通道模式 技術
STMicroelectronics 氮化鎵場效應管 700 V, 53 mOhm typ., 26 A, e-mode PowerGaN transistor 354庫存量
帶狀裁切
HK$81.87
HK$45.13
HK$42.17
HK$34.44
捲
HK$34.36
最少: 1
倍數: 1
: 1,800
SMD/SMT TO-LL-11 700 V 26 A 70 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 8.5 nC - 55 C + 150 C 231 W Enhancement GaN
STMicroelectronics 氮化鎵場效應管 700 V, 106 mOhm typ., 17 A, e-mode PowerGaN transistor 910庫存量
帶狀裁切
HK$41.68
HK$29.76
HK$22.36
HK$21.54
捲
HK$15.45
最少: 1
倍數: 1
: 3,000
SMD/SMT PowerFLAT-8 700 V 17 A 140 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 3.5 nC - 55 C + 150 C 113 W Enhancement GaN
STMicroelectronics 氮化鎵場效應管 700 V, 138 mOhm typ., 11.5 A, e-mode PowerGaN transistor 987庫存量
帶狀裁切
HK$33.13
HK$16.85
HK$15.29
HK$12.58
捲
HK$10.36
最少: 1
倍數: 1
: 3,000
SMD/SMT PowerFLAT-8 700 V 11.5 A 190 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement GaN
STMicroelectronics 氮化鎵場效應管 700 V, 60 mOhm typ., 29 A, e-mode PowerGaN transistor 880庫存量
帶狀裁切
HK$56.31
HK$30.00
HK$27.45
HK$25.73
HK$22.61
捲
HK$20.96
最少: 1
倍數: 1
: 3,000
SMD/SMT PowerFLAT-8 700 V 29 A 80 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 6.2 nC - 55 C + 150 C 188 W Enhancement GaN
STMicroelectronics 氮化鎵場效應管 700 V, 80 mOhm typ., 21.7 A, e-mode PowerGaN transistor 949庫存量
帶狀裁切
HK$48.91
HK$25.73
HK$23.43
HK$21.29
HK$20.47
捲
HK$17.34
最少: 1
倍數: 1
: 3,000
SMD/SMT PowerFLAT-8 700 V 21.7 A 105 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 4.8 nC - 55 C + 150 C 158 W Enhancement GaN
STMicroelectronics 氮化鎵場效應管 700 V, 165 mOhm typ., 10 A, e-mode PowerGaN transistor 970庫存量
帶狀裁切
HK$31.40
HK$15.86
HK$14.39
捲
HK$14.39
最少: 1
倍數: 1
最大: 100
: 3,000
SMD/SMT PowerFLAT-8 700 V 10 A 240 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 2 nC - 55 C + 150 C 76 W Enhancement GaN
STMicroelectronics 氮化鎵場效應管 700 V, 270 mOhm typ., 6 A, e-mode PowerGaN transistor 547庫存量
帶狀裁切
HK$23.02
HK$11.34
HK$10.19
HK$8.19
捲
HK$6.84
最少: 1
倍數: 1
: 2,500
SMD/SMT DPAK-3 700 V 6 A 350 mOhms - 1.4 V, + 7 V 2.5 V 1.5 nC - 55 C + 150 C 47 W Enhancement GaN
STMicroelectronics 氮化鎵場效應管 700 V, 165 mOhm typ., 10 A, e-mode PowerGaN transistor
2,500預期20/11/2026
帶狀裁切
HK$23.59
HK$11.67
HK$10.52
HK$8.47
捲
HK$7.05
最少: 1
倍數: 1
: 2,500
SMD/SMT DPAK-2 N-Channel 1 Channel 700 V 10 A 240 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 2 nC - 55 C + 150 C 77 W Enhancement GaN
STMicroelectronics 氮化鎵場效應管 650 V, 49 mOhm typ., 25 A, e-mode PowerGaN transistor 無庫存前置作業時間 52 週
捲
HK$45.05
最少: 3,000
倍數: 3,000
: 3,000
SMD/SMT PowerFLAT-4 N-Channel 1 Channel 650 V 25 A 65 mOhms + 6 V 1.8 V 5.4 nC - 55 C + 150 C 305 W GaN-on-Si