TO-247-4纖薄1200V碳化矽功率MOSFET

Wolfspeed TO-247-4纖薄1200V碳化矽功率MOSFET具有高速開關、低電容、高阻斷電壓和低導通電阻的特點。這些功率MOSFET降低了開關損耗和冷卻要求,並最大程度減少閘極震動。1200V SiC MOSFET包含具有低反向恢復(Qrr)的快速本徵二極管。這些功率MOSFET提高了功率密度和系統開關頻率。1200V碳化矽功率MOSFET採用優化的封裝,具有獨立的驅動器源引腳,並採用較小的TO-247-4封裝體。這些功率MOSFET不含鹵素且符合RoHS標準。典型應用包括馬達控制、EV電池充電器、高壓DC/DC轉換器、太陽能/ESS、UPS和企業PSU。

結果: 6
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS ECAD模型 安裝風格 封裝/外殼 晶體管極性 通道數 Vds - 漏-源擊穿電壓 Id - C連續漏極電流 Rds On - 漏-源電阻 Vgs - 閘極-源極電壓 Vgs th - 門源門限電壓 Qg - 閘極充電 最低工作溫度 最高工作溫度 Pd - 功率消耗 通道模式
Wolfspeed 碳化矽MOSFET SiC, MOSFET, 21mohm, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial 167庫存量
最少: 1
倍數: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 100 A 35 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 177 nC - 40 C + 175 C 405 W Enhancement
Wolfspeed 碳化矽MOSFET SiC, MOSFET, 32mohm, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial 428庫存量
最少: 1
倍數: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 69 A 55 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 118 nC - 40 C + 175 C 278 W Enhancement
Wolfspeed 碳化矽MOSFET SiC, MOSFET, 40mohm, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial 153庫存量
最少: 1
倍數: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 66 A 70 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 94 nC - 40 C + 175 C 242 W Enhancement
Wolfspeed 碳化矽MOSFET SiC, MOSFET, 75mohm, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial 254庫存量
最少: 1
倍數: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 32 A 135 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 53 nC - 55 C + 150 C 145 W Enhancement
Wolfspeed 碳化矽MOSFET SiC, MOSFET, 160mohm, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial 386庫存量
最少: 1
倍數: 1

Through Hole TO-247-4LP N-Channel 1 Channel 1.2 kV 17.9 A 280 mOhms - 4 V, + 15 V 3.8 V 32 nC - 40 C + 175 C 103 W Enhancement
Wolfspeed 碳化矽MOSFET SiC, MOSFET, 16mohm, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
880在途量
最少: 1
倍數: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 115 A 29 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 223 nC - 40 C + 175 C 556 W Enhancement