650V, 1200V, & 1700V SiC Schottky MPS™ Diodes

GeneSiC Semiconductor 650V, 1200V, and 1700V SiC Schottky MPS™ Diodes provide low standby power losses and improved circuit efficiency. The 650V SiC Diodes have a forward current range of 6A to 20A. The 1200V SiC Diodes have a forward current range of 1A to 200A. The 1700V SiC Diodes have a forward current range of 5A to 50A. 

結果: 28
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 安裝風格
封裝/外殼
配置
If - 順向電流
Vrrm - 重複反向電壓
Vf - 順向電壓
Ifsm - 順向浪湧電流
Ir - 反向電流
最低工作溫度
最高工作溫度
系列
封裝
GeneSiC Semiconductor 碳化矽肖特基二極管 650V 10A TO-252-2 SiC Schottky MPS
規格書
暫無庫存
最少： 2,500
倍數： 2,500
捲: 2,500

SMD/SMT TO-252-2 Single 10 A 650 V 1.25 V 70 A 10 uA - 55 C + 175 C SiC Schottky MPS Reel
GeneSiC Semiconductor 碳化矽肖特基二極管 650V 20A TO-247-3 SiC Schottky MPS
規格書
無庫存前置作業時間 16 週
最少： 600
倍數： 600

SMD/SMT TO-247-2 Single 20 A 650 V 1.25 V 70 A 10 uA - 55 C + 175 C SiC Schottky MPS Tube
GeneSiC Semiconductor 碳化矽肖特基二極管 650V 16A TO-247-3 SiC Schottky MPS
規格書
無庫存前置作業時間 16 週
最少： 600
倍數： 600

SMD/SMT TO-247-2 Single 16 A 650 V 1.25 V 56 A 10 uA - 55 C + 175 C SiC Schottky MPS Tube