GANB8R0-040CBAZ

Name: Nexperia GANB8R0-040CBAZ
Brand: Nexperia
SKU: 771-GANB8R0-040CBAZ
Price: 18.66 HKD
Availability: InStock

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Mouser 編號：

771-GANB8R0-040CBAZ

製造商編號：

GANB8R0-040CBAZ

製造商：

Nexperia

說明：

氮化鎵場效應管 GANB8R0-040CBA/SOT8087/WLCSP16

壽命週期:

新產品:

該製造商的新產品。

規格書:

GANB8R0-040CBAZ 規格書 (PDF)

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Pricing (HKD)

數量	單價	總價
零卷 / MouseReel™ ^†
	HK$18.66	HK$18.66
	HK$12.00	HK$120.00
	HK$11.67	HK$583.50
	HK$8.14	HK$814.00
	HK$6.50	HK$3,250.00
	HK$6.29	HK$6,290.00
完整捲（訂購多個2500）
	HK$6.29	HK$15,725.00
	HK$5.14	HK$25,700.00

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	Nexperia
產品類型:	氮化鎵場效應管
RoHS:
安裝風格:	SMD/SMT
封裝/外殼:	WLCSP-16
晶體管極性:	N-Channel
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	40 V
Id - C連續漏極電流:	14 A
Rds On - 漏-源電阻:	8 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	8 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	2.4 V
Qg - 閘極充電:	10.1 nC
最低工作溫度:	- 40 C
最高工作溫度:	+ 125 C
Pd - 功率消耗 :	15 W
品牌:	Nexperia
配置:	Single
最大漏柵電壓:	40 V
封裝:	Reel
封裝:	Cut Tape
封裝:	MouseReel
產品:	GaN FETs
產品類型:	GaN FETs
原廠包裝數量:	2500
子類別:	Transistors
技術:	GaN
晶體管類型:	1 N-Channel
類型:	Bi-Directional Gallium Nitride FET
零件號別名:	934667631341

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所選屬性: 0

篩選文檔:

規格書

GANB8R0-040CBAZ 規格書 (PDF)

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

GANB8R0-040CBA Bi-Directional GaN FET

Nexperia GANB8R0-040CBA Bi-Directional Gallium Nitride (GaN) FET is a 40V, 8.0mΩ bi-directional GaN High Electron-Mobility Transistor (HEMT) housed in a compact 1.7mm x 1.7mm Wafer Level Chip-Scale Package (WLCSP). This normally-off enhancement-mode device offers ultra-high switching speed and low on-state resistance, making the Nexperia GANB8R0-040CBA ideal for applications requiring efficient power management and high power density. The device's bidirectional capability and superior performance make it suitable for high-side load switches, overvoltage protection, and DC-to-DC converters.