IXYx110N120A4 1200V XPT™ GenX4™ Trench IGBTs

IXYS IXYx110N120A4 1200V XPT™ GenX4™ Trench IGBTs are high-gain IGBTs optimized for ultra-low conduction losses VCE(sat) and for switching frequencies of up to 5kHz. Thin wafer technology and improved processes enable a low gate charge QG, hence, low gate-current requirement. High gain boosts surge current capability, and the positive thermal co-efficient of VCE(sat) simplifies paralleling. The low thermal resistance of Rth(j-c) eases thermal-related design issues. 

結果: 3
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 技術
封裝/外殼
安裝風格
配置
集電極-發射極最大電壓VCEO
集電極-發射極飽和電壓
柵極發射機最大電壓
連續集電極電流在25 C
Pd - 功率消耗
最低工作溫度
最高工作溫度
系列
封裝
IXYS IGBT PLUS247 1200V 110A GENX4
規格書
207庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.8 V - 20 V, 20 V 375 A 1.36 kW - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS IGBT TO264 1200V 110A GENX4
規格書
158庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si TO-264-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.8 V - 20 V, 20 V 375 A 1.36 kW - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS IGBT SOT227 1200V 110A GENX4
規格書
320庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si SOT-227B-4 Screw Mount Single 1.2 kV 1.8 V - 20 V, 20 V 275 A 830 W - 55 C + 175 C Trench Tube