SGT080R70ILB

STMicroelectronics
511-SGT080R70ILB
SGT080R70ILB

製造商：

說明：
氮化鎵場效應管 700 V, 60 mOhm typ., 29 A, e-mode PowerGaN transistor
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零卷 / MouseReel™ †
HK$56.31 HK$56.31
HK$37.89 HK$378.90
HK$27.45 HK$2,745.00
HK$25.73 HK$12,865.00
HK$22.36 HK$22,360.00
完整捲（訂購多個3000）
HK$20.96 HK$62,880.00
† HK$55.00 MouseReel™費用將加入您的購物車內並自動計算。所有MouseReel™訂單均不能取消和不能退換。 ↩

商品屬性 屬性值 選擇屬性
STMicroelectronics
產品類型: 氮化鎵場效應管
RoHS:  
SMD/SMT
PowerFLAT-8
700 V
29 A
80 mOhms
- 6 V, + 7 V
2.5 V
6.2 nC
- 55 C
+ 150 C
188 W
Enhancement
品牌: STMicroelectronics
配置: Single
下降時間: 4 ns
濕度敏感: Yes
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
產品: FET
產品類型: GaN FETs
上升時間: 4 ns
系列: SGT
原廠包裝數量: 3000
子類別: Transistors
技術: GaN
類型: PowerGaN Transistor
標準斷開延遲時間: 5 ns
標準開啟延遲時間: 3 ns
每件重量: 154 mg
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所選屬性: 0

規格書

PCN

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合規守則
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原產地分類
原產國:
中國
封裝原產國:
無資料
擴散國:
無資料
出貨時，國家可能會有所變更。

SGT080R70ILB E-Mode PowerGaN Transistor

STMicroelectronics SGT080R70ILB E-Mode PowerGaN Transistor is an enhancement-mode transistor designed for high-efficiency power conversion applications. Featuring a drain-source voltage rating of 700V and a typical on-resistance of just 80mΩ, the STMicroelectronics SGT080R70ILB leverages the superior switching performance of Gallium Nitride (GaN) technology to minimize conduction and switching losses. Housed in a compact PowerFLAT 8x8 HV package, the transistor supports high-frequency operation and is ideal for use in resonant converters, power factor correction (PFC) stages, and DC-DC converters. A low gate charge and output capacitance enable faster transitions and reduced energy dissipation, making the SGT080R70ILB well-suited for demanding applications in consumer electronics, industrial systems, and data centers.

PowerGaN E-Mode G-HEMT™ Transistors

STMicroelectronics PowerGaN E-Mode G-HEMT™ Transistors are high‑performance, enhancement‑mode (normally‑off) GaN devices designed to deliver exceptionally fast switching, low conduction losses, and high power density across demanding power‑conversion applications. These transistors leverage Gallium Nitride’s wide‑bandgap advantages to achieve extremely low capacitances, minimal gate charge, and zero reverse‑recovery charge, enabling superior efficiency compared to traditional silicon power switches.

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