ATSC汽車高溫矽電容器

Murata ATSC汽車高溫矽電容器適用於汽車細分市場內曝露於惡劣環境的引擎罩內電子器件和感應器。深槽MOS電容器組合獨特鑲嵌結構和分佈式溝槽電容器，具有前所未有的電氣效能級別。 憑藉製造工藝中+900℃下加工的氧氣純度，該電容器符合最高200℃的AEC-Q100條件要求，具有更長的使用壽命。

結果: 5
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 電容
額定電壓
封裝/外殼
耐受性
系列
溫度系數
最低工作溫度
最高工作溫度
封裝
Murata Electronics 矽RF電容器 / 薄膜
規格書
138庫存量
最少： 1
倍數： 1
: 1,000

0.01 uF 16 V 0202 (0606 metric) 15 % ATSC 80 PPM / C - 55 C + 200 C Reel, Cut Tape
Murata Electronics 矽RF電容器 / 薄膜 暫無庫存
最少： 1,000
倍數： 1,000
: 1,000

ATSC Reel
Murata Electronics 矽RF電容器 / 薄膜
規格書
暫無庫存
最少： 1,000
倍數： 1,000
: 1,000

1000 pF 16 V 0202 (0606 metric) 15 % ATSC 80 PPM / C - 55 C + 200 C Reel
Murata Electronics 矽RF電容器 / 薄膜
規格書
暫無庫存
最少： 1,000
倍數： 1,000
: 1,000

0.047 uF 16 V 0505 (1313 metric) 15 % ATSC 80 PPM / C - 55 C + 200 C Reel
Murata Electronics 矽RF電容器 / 薄膜
規格書
暫無庫存
最少： 1,000
倍數： 1,000
: 1,000

0.1 uF 16 V 0605 (1613 metric) 15 % ATSC 80 PPM / C - 55 C + 200 C Reel