GCMX040B120S1-E1

SemiQ
148-GCMX040B120S1-E1
GCMX040B120S1-E1

製造商：

說明：
MOSFET模組 1200V SiC MOSFET Power Module

規格書:
ECAD模型:
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Pricing (HKD)

數量 單價
總價
HK$193.75 HK$193.75
HK$140.07 HK$1,400.70
HK$114.42 HK$11,442.00

商品屬性 屬性值 選擇屬性
SemiQ
產品類型: MOSFET模組
RoHS:  
REACH - SVHC:
SiC
Screw Mount
SOT-227-4
N-Channel
1.2 kV
57 A
52 mOhms
- 25 V, + 25 V
4 V
- 55 C
+ 175 C
242 W
Tube
品牌: SemiQ
下降時間: 12 ns
產品類型: MOSFET Modules
上升時間: 5 ns
原廠包裝數量: 10
子類別: Discrete and Power Modules
標準斷開延遲時間: 21 ns
標準開啟延遲時間: 15 ns
Vf - 順向電壓: 3.8 V
找到產品:
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所選屬性: 0

規格書

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

GCMX040B120S1-E1 1200V SiC MOSFET Power Module

SemiQ GCMX040B120S1-E1 1200V SiC COPACK Power Module is simple to drive, very rugged, and easy to mount with high-speed switching SiC MOSFETs. The device delivers low switching losses and junction-to-case thermal resistance. The SemiQ GCMX040B120S1-E1 Power Module has a low QRR at high temperatures and permits direct mounting to the heatsink in an isolated package.

SiC MOSFET Power Modules

SemiQ SiC MOSFET Power Modules provide low on-state resistance at high temperatures with excellent switching performance, simplifying power electronic systems' thermal design. The SiC MOSFET Modules operate with zero switching loss to significantly increase efficiency and reducing heat dissipation, allowing smaller heatsinks.

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