50V Enhancement Mode MOSFETs

PANJIT 50V Enhancement Mode MOSFETs have advanced Trench process technology and offer a low drain-source on-state resistance [RDS(ON)]. Each device is ESD-protected up to a 2KV human-body model. For design flexibility, these devices are available in six packages (SOT-363, SOT-563, SC-89, SOT-523, SOT-23, and SOT-323). All PANJIT 50V Enhancement Mode MOSFETs are lead-free in compliance with EU RoHS 2.0 and have a Green molding compound as per the IEC 61249 standard.

結果: 29
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 技術
安裝風格
封裝/外殼
晶體管極性
通道數
Vds - 漏-源擊穿電壓
Id - C連續漏極電流
Rds On - 漏-源電阻
Vgs - 閘極-源極電壓
Vgs th - 門源門限電壓
Qg - 閘極充電
最低工作溫度
最高工作溫度
Pd - 功率消耗
通道模式
資格
封裝
Panjit MOSFET 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
規格書
無庫存前置作業時間 40 週
最少： 10,000
倍數： 10,000
捲: 10,000

Si SMD/SMT SOT-563-6 N-Channel 2 Channel 50 V 350 mA 4.5 Ohms - 20 V, 20 V 1.5 V 630 pC - 55 C + 150 C 223 mW Enhancement Reel
Panjit MOSFET 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
規格書
無庫存前置作業時間 40 週
最少： 4,000
倍數： 4,000
捲: 4,000

Si SMD/SMT SOT-563-6 N-Channel 2 Channel 50 V 350 mA 4.5 Ohms - 20 V, 20 V 1.5 V 630 pC - 55 C + 150 C 223 mW Enhancement Reel
Panjit MOSFET Complementary Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
規格書
無庫存前置作業時間 24 週
最少： 10,000
倍數： 10,000
捲: 10,000

Si SMD/SMT SOT-563-6 N-Channel, P-Channel 2 Channel 50 V 360 mA, 200 mA 2.5 Ohms - 20 V, 20 V 1 V 950 pC - 55 C + 150 C 300 mW Enhancement Reel
Panjit MOSFET 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
規格書
無庫存前置作業時間 40 週
最少： 10,000
倍數： 10,000
捲: 10,000

Si SMD/SMT SOT-563-6 N-Channel 2 Channel 50 V 360 mA 6 Ohms - 20 V, 20 V 1 V 950 pC - 55 C + 150 C 300 mW Enhancement Reel