TRENCHSTOP™ 5 IGBT

Infineon TRENCHSTOP™ 5 IGBT是新世代的薄晶圓IGBT(絕緣閘雙極電晶體)，與目前領先的產品相較下，傳導與開關耗損極低。TRENCHSTOP 5是針對開關頻率高於10kHz的應用所設計。晶圓厚度減少25%以上，大幅改善開關及傳導耗損，更將擊穿電壓提高到650V。效能提升幅度驚人，為設計人員打開了嶄新的探索機會。

結果: 39
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 技術
封裝/外殼
安裝風格
配置
集電極-發射極最大電壓VCEO
集電極-發射極飽和電壓
柵極發射機最大電壓
連續集電極電流在25 C
Pd - 功率消耗
最低工作溫度
最高工作溫度
系列
封裝

Infineon Technologies IGBT IGBT PRODUCTS
規格書
244庫存量
960預期5/3/2026
最少： 1
倍數： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 74 A 255 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 Tube

Infineon Technologies IGBT IGBT PRODUCTS
規格書
80庫存量
7,960在途量
最少： 1
倍數： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 74 A 250 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 Tube

Infineon Technologies IGBT INDUSTRY
規格書
314庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 80 A 275 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 Tube

Infineon Technologies IGBT IGBT PRODUCTS
規格書
5庫存量
2,880預期9/4/2026
最少： 1
倍數： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 305 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 Tube

Infineon Technologies IGBT IGBT PRODUCTS
規格書
568庫存量
960預期2/3/2026
最少： 1
倍數： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 80 A 305 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 Tube

Infineon Technologies IGBT INDUSTRY
規格書
340庫存量
720預期2/3/2026
最少： 1
倍數： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 90 A 395 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 Tube
Infineon Technologies IGBT IGBT PRODUCTS
規格書
288庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 74 A 250 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 Tube
Infineon Technologies IGBT IGBT PRODUCTS
規格書
697庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 74 A 250 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 Tube
Infineon Technologies IGBT 650V IGBT Trenchstop 5
規格書
2,102在途量
最少： 1
倍數： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.05 V - 20 V, 20 V 85 A 227 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 Tube

Infineon Technologies IGBT INDUSTRY
規格書
760在途量
最少： 1
倍數： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 120 A 395 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 Tube
Infineon Technologies IGBT HOME APPLIANCES
規格書
無庫存前置作業時間 19 週
最少： 1
倍數： 1

- 20 V, 20 V Trenchstop IGBT5 Tube
Infineon Technologies IGBT INDUSTRY
規格書
無庫存前置作業時間 19 週
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 80 A 274 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 S5 Tube
Infineon Technologies IGBT INDUSTRY
規格書
無庫存前置作業時間 19 週
最少： 240
倍數： 240

- 20 V, 20 V Trenchstop IGBT5 Tube
Infineon Technologies IGBT 650 V, 75 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
規格書
無庫存前置作業時間 26 週
最少： 1
倍數： 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 80 A 395 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 Tube