LMG3522R030RQSR

Name: Texas Instruments LMG3522R030RQSR
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-LMG3522R030RQSR
Price: 108.59 HKD
Availability: OutOfStock

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Mouser 編號：

595-LMG3522R030RQSR

製造商編號：

LMG3522R030RQSR

製造商：

Texas Instruments

說明：

閘極驅動器 650-V 30-m? GaN FET with integrated driv

規格書:

LMG3522R030RQSR 規格書

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Pricing (HKD)

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	HK$108.59	HK$217,180.00

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	Texas Instruments
產品類型:	閘極驅動器
付運限制：	此產品可能需要額外文件才能出口至美國境外。
產品:	Driver ICs - Various
類型:	Half-Bridge
安裝風格:	SMD/SMT
封裝/外殼:	VQFN-52
驅動器數:	1 Driver
輸出數:	1 Output
電源電壓 - 最小值:	7.5 V
電源電壓 - 最大值:	18 V
配置:	Non-Inverting
上升時間:	4.3 ns
下降時間:	22 ns
最低工作溫度:	- 40 C
最高工作溫度:	+ 125 C
系列:	LMG3522R030
封裝:	Reel
品牌:	Texas Instruments
組裝國家:	Not Available
擴散國:	Not Available
原產國:	Not Available
特徵:	Robust Protection
最長斷開延遲時間:	69 ns
最長接通延遲時間:	54 ns
濕度敏感:	Yes
運作供電電流:	15.5 mA
輸出電壓:	5 V
產品類型:	Gate Drivers
Rds On - 漏-源電阻:	26 mOhms
關機:	Shutdown
原廠包裝數量:	2000
子類別:	PMIC - Power Management ICs
技術:	Si

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所選屬性: 0

篩選文檔:

規格書

LMG3522R030RQSR 規格書

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USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: 3A001.A.2.A

LMG3522R030/LMG3522R030-Q1 650V 30mΩ GaN FETs

Texas Instruments LMG3522R030/LMG3522R030-Q1 650V 30mΩ GaN FETs include an integrated driver and protection for switch-mode power converters. The LMG3522R030/LMG3522R030-Q1 integrates a silicon driver that allows switching speeds up to 150V/ns. The device implements TI’s integrated precision gate bias, resulting in higher switching SOA than discrete silicon gate drivers. This integration, combined with TI’s low-inductance package, supplies clean switching and minimal ringing in hard-switching power supply topologies. An adjustable gate drive strength permits control of the slew rate from 20V/ns to 150V/ns, which can be used to control EMI and optimize switching performance actively.