IGBT V Series

STMicroelectronics 600V trench-gate field-stop very high-speed IGBT V series features the industry's lowest Eoff. Combined with a saturation voltage as low as 1.8V and a maximum operating junction temperature of 175°C, they enable increased system efficiency, higher switching frequencies (up to 120kHz), and simplified thermal and EMI design.

結果: 3
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 技術
封裝/外殼
安裝風格
配置
集電極-發射極最大電壓VCEO
集電極-發射極飽和電壓
柵極發射機最大電壓
連續集電極電流在25 C
Pd - 功率消耗
最低工作溫度
最高工作溫度
系列
封裝
STMicroelectronics IGBT 600V 30A High Speed Trench Gate IGBT
規格書
1,091庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si TO-247 Through Hole Single 600 V 2.35 V - 20 V, 20 V 60 A 258 W - 55 C + 175 C STGW30V60DF Tube
STMicroelectronics IGBT 600V 40A High Speed Trench Gate IGBT
規格書
894庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si TO-247 Through Hole Single 600 V 2.35 V - 20 V, 20 V 80 A 283 W - 55 C + 175 C STGW40V60DF Tube
STMicroelectronics IGBT 600V 60A High Speed Trench Gate IGBT
規格書
1,048庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si TO-247 Through Hole Single 600 V 2.35 V - 20 V, 20 V 80 A 375 W - 55 C + 175 C STGW60V60DF Tube