STPSC806G-TR

STMicroelectronics
511-STPSC806G-TR
STPSC806G-TR

製造商:

說明:
碳化矽肖特基二極管 600V Power Schottky 8A 10 nC No Reverse

壽命週期:
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供貨情況

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單價:
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Pricing (HKD)

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商品屬性 屬性值 選擇屬性
STMicroelectronics
產品類型: 碳化矽肖特基二極管
RoHS:  
Through Hole
D2PAK
Single
8 A
600 V
1.7 V
30 A
100 uA
- 40 C
+ 175 C
STPSC
Reel
品牌: STMicroelectronics
產品類型: SiC Schottky Diodes
原廠包裝數量: 1000
子類別: Diodes & Rectifiers
每件重量: 2 g
找到產品:
若要顯示類似商品,請選取至少一個核選方塊
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所選屬性: 0

CNHTS:
8541100000
CAHTS:
8541100090
USHTS:
8541100080
JPHTS:
854110090
KRHTS:
8541109000
TARIC:
8541100000
MXHTS:
8541100101
ECCN:
EAR99

600V Power Schottky Silicon Carbide Diode

STMicroelectronics' 600V Power Schottky Silicon Carbide Diodes are ultra high performance power Schottky diodes. They are manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band gap material of these allows the design of a Schottky diode structured with a 600V rating. Due to the Schottky construction of these diodes no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behavior is independent of temperature. These Power Schottky Silicon Carbide Diodes will boost the performance of PFC operations in hard switching conditions.

STPSC蕭特基碳化矽二極體

STMicroelectronics蕭特基碳化矽二極體運用SiC優於標準矽的優異物理特性,提供高出4倍的動態特性與減少15%的順向電壓 (VF)。ST的碳化矽二極體擁有低反向恢復特性,因此成為SMPS應用和其他新興領域的關鍵節能因素,而這些領域包括太陽能轉換、EV或HEV充電站,以及焊接設備和空調等應用。STMicroelectronics SiC產品組合在原有的4至12安培穿孔和SMD封裝產品選項中,加入了20A、600V二極體,採用不含鹵素的TO-247封裝。另外亦提供第二代6A、1200V裝置及650V系列。