STO68N65DM6

Name: STMicroelectronics STO68N65DM6
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STO68N65DM6
Price: 38.22 HKD
Availability: OutOfStock

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Mouser 編號：

511-STO68N65DM6

製造商編號：

STO68N65DM6

製造商：

STMicroelectronics

說明：

MOSFET N-channel 650 V, 53 mOhm typ., 55 A MDmesh DM6 Power MOSFET

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規格書:

STO68N65DM6 規格書 (PDF)

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	STMicroelectronics
產品類型:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
安裝風格:	SMD/SMT
封裝/外殼:	TO-LL-8
晶體管極性:	N-Channel
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	650 V
Id - C連續漏極電流:	55 A
Rds On - 漏-源電阻:	65 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 25 V, 25 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	4.75 V
Qg - 閘極充電:	80 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 150 C
Pd - 功率消耗 :	240 W
通道模式:	Enhancement
封裝:	Reel
品牌:	STMicroelectronics
配置:	Single
下降時間:	7.5 ns
產品類型:	MOSFETs
上升時間:	12 ns
系列:	MDmesh DM6
原廠包裝數量:	1800
子類別:	Transistors
標準斷開延遲時間:	69 ns
標準開啟延遲時間:	23 ns
每件重量:	697 mg

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規格書

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Technical Resources

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MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MDmesh™ M6 MOSFET

STMicroelectronics MDmesh™ M6 MOSFET結合低閘極電荷(Q_g)與優化電容尺寸，為電源轉換應用中的新拓撲結構提供高效率。超級接面MDmesh M6系列提供極高效性能，為高頻率運行帶來更高電源密度及低閘極電荷。M6系列MOSFET具有600至700V的擊穿電壓，並具有豐富的封裝選項，包括TO無鉛(TO-LL)封裝解決方案，可實現高效的熱管理。這些裝置具有適用於工業應用的多種運行電壓，包括充電器、適配器、銀盒模組、LED照明、電訊、伺服器及太陽能。