MDmesh™ M9功率MOSFET

STMicroelectronics MDmesh™ M9功率MOSFET具備強化裝置結構、低導通電阻和低閘極電荷值。這些功率MOSFET具有高反向二極體dv/dt和MOSFET dv/dt耐用性、高功率密度和低傳導耗損。MDmesh M9功率MOSFET亦具有高開關速度、高效率和低開關功率耗損。這些功率MOSFET採用創新的高電壓超接面技術設計，可提供令人印象深刻的品質因數 (FoM)。高FoM可實現更高的功率等級和密度，進而使解決方案達到更輕巧的尺寸。其典型應用包括伺服器、電信資料中心、5G電力站、微型逆變器和快速充電器。