MDmesh™ II Power MOSFETs

STMicroelectronics 600 and 650V MDmesh™ M2 series of super-junction Power MOSFETs are optimized for soft-switching applications (LLC resonant power supplies) thanks to the optimized trade-off between RDS(on), gate charge (Qg) and intrinsic capacitances (Ciss, Coss). They also are suitable for PFC applications, especially at light loads.

結果: 3
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 技術
安裝風格
封裝/外殼
晶體管極性
通道數
Vds - 漏-源擊穿電壓
Id - C連續漏極電流
Rds On - 漏-源電阻
Vgs - 閘極-源極電壓
Vgs th - 門源門限電壓
Qg - 閘極充電
最低工作溫度
最高工作溫度
Pd - 功率消耗
通道模式
公司名稱
封裝
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 45 mOhm typ., 52 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO247-4 package
規格書
400庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 600 V 52 A 45 mOhms - 25 V, 25 V 2 V 91 nC - 55 C + 150 C 350 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 0.049 Ohm typ., 49 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO247-4 packag
規格書
無庫存前置作業時間 16 週
最少： 600
倍數： 600

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 49 A 62 mOhms - 25 V, 25 V 2 V 93 nC - 55 C + 150 C 358 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 60 mOhm typ., 42 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO247-4 package
規格書
無庫存前置作業時間 16 週
最少： 600
倍數： 600

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 600 V 42 A 60 mOhms - 25 V, 25 V 2 V 70 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement MDmesh Tube