MDmesh™ M6 MOSFET

STMicroelectronics MDmesh™ M6 MOSFET結合低閘極電荷(Q_g)與優化電容尺寸，為電源轉換應用中的新拓撲結構提供高效率。超級接面MDmesh M6系列提供極高效性能，為高頻率運行帶來更高電源密度及低閘極電荷。M6系列MOSFET具有600至700V的擊穿電壓，並具有豐富的封裝選項，包括TO無鉛(TO-LL)封裝解決方案，可實現高效的熱管理。這些裝置具有適用於工業應用的多種運行電壓，包括充電器、適配器、銀盒模組、LED照明、電訊、伺服器及太陽能。