STP80N340K6

STMicroelectronics
511-STP80N340K6
STP80N340K6

製造商:

說明:
MOSFET N-channel 800 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh K6 Power MOSFET in a TO-220 package

ECAD模型:
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供貨情況

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工廠前置作業時間:
13 週 工廠預計生產時間。
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單價:
HK$-.--
總價:
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估計關稅:
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Pricing (HKD)

數量 單價
總價
HK$14.06 HK$14,060.00

商品屬性 屬性值 選擇屬性
STMicroelectronics
產品類型: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
1 Channel
800 V
12 A
340 mOhms
- 30 V, 30 V
3.5 V
- 55 C
+ 150 C
115 W
Enhancement
Tube
品牌: STMicroelectronics
配置: Single
下降時間: 11 ns
產品類型: MOSFETs
上升時間: 4.9 ns
原廠包裝數量: 1000
子類別: Transistors
標準斷開延遲時間: 34 ns
標準開啟延遲時間: 13 ns
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所選屬性: 0

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CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

N-Channel MDmesh K6 Power MOSFETs

STMicroelectronics N-Channel MDmesh K6 Power MOSFETs are Zener-protected and 100% avalanche-tested. These power MOSFETs feature 800V minimum drain-source breakdown voltage, ±30V gate-source voltage, and -55°C to 150°C operating junction temperature range. The MDmesh K6 Power MOSFETs also feature 5V/ns peak diode recovery voltage slope, 100A/µs peak diode recovery current slope, and 120V/ns MOSFET dv/dt ruggedness. Typical applications include notebook and AIO, flyback converters, adapters for tablets, and LED lighting.