STL260N4LF7

Name: STMicroelectronics STL260N4LF7
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STL260N4LF7
Price: 25.98 HKD
Availability: InStock

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Mouser 編號：

511-STL260N4LF7

製造商編號：

STL260N4LF7

製造商：

STMicroelectronics

說明：

MOSFET N-channel 40 V, 0.85 mOhm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x

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規格書:

STL260N4LF7 規格書 (PDF)

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Pricing (HKD)

數量	單價	總價
零卷 / MouseReel™ ^†
	HK$25.98	HK$25.98
	HK$16.93	HK$169.30
	HK$11.75	HK$1,175.00
	HK$9.95	HK$4,975.00
	HK$9.12	HK$9,120.00
完整捲（訂購多個3000）
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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	STMicroelectronics
產品類型:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
安裝風格:	SMD/SMT
封裝/外殼:	PowerFLAT5x6-8
晶體管極性:	N-Channel
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	40 V
Id - C連續漏極電流:	120 A
Rds On - 漏-源電阻:	1.1 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 20 V, 20 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	2.5 V
Qg - 閘極充電:	42 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 175 C
Pd - 功率消耗 :	188 W
通道模式:	Enhancement
封裝:	Reel
封裝:	Cut Tape
封裝:	MouseReel
品牌:	STMicroelectronics
下降時間:	23 ns
產品類型:	MOSFETs
上升時間:	14 ns
原廠包裝數量:	3000
子類別:	Transistors
晶體管類型:	1 N-Channel
標準斷開延遲時間:	74 ns
標準開啟延遲時間:	21 ns
每件重量:	76 mg

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規格書

STL260N4LF7 規格書 (PDF)

PCN

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Silicon Carbide Power MOSFETs

STMicroelectronics Silicon Carbide Power MOSFETs bring wide bandgap materials' advanced efficiency and reliability to a broader range of energy-conscious applications. These applications include inverters for electric/hybrid vehicles, solar or wind power generation, high-efficiency drives, power supplies, and smart-grid equipment. An extended voltage range from 650V to 1700V features excellent switching performance combined with very low on-state resistance R_DS(on) per area Figure Of Merit. ST SiC MOSFETs allow the design of more efficient and compact systems. The STMicro 1200V SiC MOSFETs exhibit an outstanding temperature rating of 200°C for improved thermal design of power electronics systems. Compared to silicon MOSFET, SiC MOSFET also features significantly reduced switching losses with minimal variation versus the temperature.