STGH30H65DFB-2AG

Name: STMicroelectronics STGH30H65DFB-2AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGH30H65DFB-2AG
Price: 29.1 HKD
Availability: InStock

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Mouser 編號：

511-STGH30H65DFB-2AG

製造商編號：

STGH30H65DFB-2AG

製造商：

STMicroelectronics

說明：

IGBT Automotive-grade trench gate field-stop, 650 V, 30 A, high-speed HB series IGBT

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規格書:

STGH30H65DFB-2AG 規格書 (PDF)

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數量	單價	總價
零卷 / MouseReel™ ^†
	HK$29.10	HK$29.10
	HK$19.81	HK$198.10
	HK$14.71	HK$1,471.00
	HK$13.07	HK$6,535.00
完整捲（訂購多個1000）
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	HK$10.69	HK$21,380.00

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	STMicroelectronics
產品類型:	IGBT
RoHS:
技術:	Si
封裝/外殼:	H2PAK-2
安裝風格:	SMD/SMT
配置:	Single
集電極-發射極最大電壓VCEO:	650 V
集電極-發射極飽和電壓:	1.55 V
柵極發射機最大電壓:	- 20 V, 20 V
連續集電極電流在25 C:	60 A
Pd - 功率消耗 :	260 W
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 175 C
資格:	AEC-Q101
封裝:	Reel
封裝:	Cut Tape
封裝:	MouseReel
品牌:	STMicroelectronics
產品類型:	IGBT Transistors
原廠包裝數量:	1000
子類別:	IGBTs

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規格書

STGH30H65DFB-2AG 規格書 (PDF)

PCN

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

HB/HB2 Series Insulated-Gate Bipolar Transistors

STMicroelectronics HB/HB2 Series Insulated-Gate Bipolar Transistors (IGBTs) combine a very low saturation voltage (down to 1.6V) with a minimal collector current turn-off tail and a maximum operating temperature of 175°C. This enhances the efficiency of high-frequency applications (up to 100kHz) and leverages the advanced proprietary Trench Gate Field-Stop (TGFS) structure.