MDmesh MOSFET

結果: 6
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS ECAD模型 技術 安裝風格 封裝/外殼 晶體管極性 通道數 Vds - 漏-源擊穿電壓 Id - C連續漏極電流 Rds On - 漏-源電阻 Vgs - 閘極-源極電壓 Vgs th - 門源門限電壓 Qg - 閘極充電 最低工作溫度 最高工作溫度 Pd - 功率消耗 通道模式 公司名稱 封裝
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 0.078 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-3PF package 446庫存量
最少: 1
倍數: 1

Si Through Hole TO-3PF-3 N-Channel 1 Channel 600 V 34 A 78 mOhms - 25 V, 25 V 2 V 57 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650V 0.037 Ohm 58A MDMesh M5 MOS 338庫存量
最少: 1
倍數: 1

Si Through Hole TO-3PF-3 N-Channel 1 Channel 650 V 58 A 45 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 143 nC - 55 C + 150 C 79 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 0.073 Ohm typ., 30 A MDmesh M5 Power MOSFET in TO-3PF package 137庫存量
最少: 1
倍數: 1

Si Through Hole TO-3PF-3 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 95 mOhms - 25 V, 25 V 4 V 71 nC - 55 C + 150 C 57 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 1200 V, 1.65 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-3PF package 139庫存量
最少: 1
倍數: 1

Si Through Hole TO-3PF-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 6 A 2 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 13.7 nC - 55 C + 150 C 48 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 1200 V, 0.62 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-3PF packge
100預期13/3/2026
最少: 1
倍數: 1

Si Through Hole TO-3PF-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 12 A 620 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 44.2 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 0.076 Ohm typ 34 A MDmesh M2 EP Power MOSFET 暫無庫存
最少: 300
倍數: 300

Si Through Hole TO-3PF-3 N-Channel 1 Channel 600 V 34 A 87 mOhms - 25 V, 25 V 2 V 55 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement MDmesh Tube