SCTW90N65G2V

STMicroelectronics
511-SCTW90N65G2V
SCTW90N65G2V

製造商：

說明：
碳化矽MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 119 A, 18 mOhm (typ., TJ = 25 C) in an HiP24
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規格書:
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600
預期20/4/2026
工廠前置作業時間：
17
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單價:
HK$-.--
總價:
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估計關稅:

Pricing (HKD)

數量 單價
總價
HK$159.71 HK$159.71
HK$150.02 HK$1,500.20
HK$143.36 HK$14,336.00
HK$141.88 HK$85,128.00
5,400 報價

商品屬性 屬性值 選擇屬性
STMicroelectronics
產品類型: 碳化矽MOSFET
RoHS:  
Through Hole
HiP-247-3
N-Channel
1 Channel
650 V
90 A
25 mOhms
- 10 V, + 22 V
1.9 V
157 nC
- 55 C
+ 200 C
390 W
Enhancement
品牌: STMicroelectronics
配置: Single
下降時間: 16 ns
封裝: Tube
產品類型: SiC MOSFETS
上升時間: 38 ns
系列: SCTW90N
原廠包裝數量: 600
子類別: Transistors
技術: SiC
標準斷開延遲時間: 58 ns
標準開啟延遲時間: 26 ns
每件重量: 4.500 g
找到產品:
若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊
至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

650V 3rd Gen SiC MOSFETs

STMicroelectronics 650V 3rd Generation Silicon Carbide (SiC) MOSFETs feature low on-state resistance (RDS(on)) per area, even at high temperatures, and excellent switching performance. This translates into more efficient and compact systems. The SiC MOSFETs feature excellent switching performance over IGBTs, simplifying the thermal design of power electronic systems. These 650V SiC MOSFETs have been developed using ST’s advanced and innovative 3rd generation SiC MOSFET technology. The low RDS(on), low capacitances, and high switching operations improve application performance in frequency, energy efficiency, system size, and weight reduction.

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